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公开(公告)号：CN101847592A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010143745.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/0361 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847592B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010143745.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/0361 , H01L2224/11 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺制备铟焊球阵列的方法，其特征在于在制作种子层之前先进行一次薄胶光刻，然后制作种子层，在需要沉积铟的地方，涂覆厚正光刻胶，光刻出“模子”，形成薄胶/种子层/厚胶的结构，以电镀的方法在“模子”中沉积所需高度的铟柱，借助于超声将种子层剥离，最后在温度可控的退火炉中实现铟凸点回流，获得铟焊球阵列。本发明提供一种全新的去除种子层工艺，成功制备出质量高的小间距、小焊球、大阵列的铟焊球。
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公开(公告)号：CN102064120A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010515444.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11502 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13562 , H01L2224/13639 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。
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公开(公告)号：CN102064120B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010515444.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C25D3/46 , C25D3/54 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03849 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05666 , H01L2224/11462 , H01L2224/11502 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13099 , H01L2224/13109 , H01L2224/13562 , H01L2224/13639 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特殊的光电芯片，MEMS芯片和生物检测芯片中的倒装互连中。
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公开(公告)号：CN102590731B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210014614.6
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: H01L2224/05554
Abstract: 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。
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公开(公告)号：CN102590731A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210014614.6
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: H01L2224/05554
Abstract: 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。
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