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公开(公告)号：CN100595534C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200510026743.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F-P红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F-P腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定F-P腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度，在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜，光刻并刻蚀出微镜图案，随后去掉牺牲层材料，释放可动微镜，最后在真空中作硅-玻璃键合，形成F-P腔。本发明的优点在于：采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺，可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F-P腔，提高了器件的红外探测性能，同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装，不需要专门的真空封装，简化了工艺，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN1279595C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03128997.5
申请日：2003-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及带有微型连接构件的基板及其制作方法，可分为带有导入孔构件的第一基板和带有插入头构件的第二基板。导入孔构件，由第一基板上的至少两个导入孔部和至少两个隔离孔部，以及两者之间的间隔块部组成；导入孔部由垂直于第一基板表面的导入直孔及其下端的第一底部宽孔，以及位于该底部宽孔与导入直孔下端交接处的、伸向底部宽孔的第一突起部组成。插入头构件，包含至少两个插入头部，由垂直于第二基板表面的插入块及其下端两侧与基板表面交接处的凹部、及第三突起部组成。插入头部与导入孔部对准，将插入头插入导入孔，形成第一突起部与第三突起部的横向交叉，实现锁定连接。提供了一种工艺简单、封装应力低、具有多器件通用性的晶圆级封装规范。
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公开(公告)号：CN1529336A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151462.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型扭转式单刀双置射频开关结构及制作方法，其特征在于：(1)MEMS部件和RF传输部分有共同的衬底；(2)射频传输线分别位于驱动电极的两侧；(3)可动部分悬空在射频信号线和驱动电极的正上方，可动部分是由扭转质量块和两个扭转梁构成的；(4)两根扭转梁位于扭转质量块的正中间沿中轴线方向，驱动电极分别在扭转质量块中轴线的两侧。本发明通过淀积，光刻，刻蚀等简单的微机械表面加工技术，制作出低驱动电压的对两条射频信道进行可靠的单选的单刀双置的开关。此结构具有低驱动电压和良好的可靠性的特点，应用于射频通信系统和无线通信系统中以实现性能好、工艺简单、可以批量生产的微机械的射频器件。
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公开(公告)号：CN1792765A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN1514252A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03141712.4
申请日：2003-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/13
Abstract: 本发明涉及微型角速度传感器及其制作方法。传感器由第一基板及其上的两组检测用交叉梳齿状固定对电极、固定于第一基板上的中央锚点和两侧锚点、第二基板的上表面的中点电极、悬于第一基板上方的可沿第一方向运动的两组全同且对称的驱动质量块、中央锚点与驱动质量块相连接的第一弹性折叠梁、两侧锚点与驱动质量块相连接的第二弹性折叠梁、连接两组驱动质量块的耦合梁、悬于第一基板上方的可沿垂直于第一方向的第二方向运动的两个检测质量块、检测质量块与驱动质量块之间的连接弹性梁、第一弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的驱动配线、第二弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的感应配线构成。采用微电子机械系统技术，工艺简单、灵敏度高、可靠性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102241388A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
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公开(公告)号：CN100526208C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN100482572C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200510025831.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑，金属线条与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；同时纳米梁为浅槽区包围，纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差；纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的，包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤，纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN103424110B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210151254.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5733
Abstract: 本发明提供一种微型角速度传感器，包括位于第一基板上表面的检测电极，悬于所述第一基板上的驱动质量块、平动质量块、转动质量块、第一梳齿、第二梳齿、检测梳齿、弹性梁，以及固定于所述第一基板上的锚点，还包括用于电连接的多个焊盘及引线。本发明可用以检测一个方向或相互垂直的两个方向的外部角速度，也可同时检测相互正交的三个方向的外部角速度，其中，三个方向为垂直于所述微型角速度传感器所在平面的方向、及位于所述微型角速度传感器所在平面内且相互垂直的两个方向。本发明采用两个转动质量块分别检测所述传感器所在平面内相互垂直的两个方向的外部角速度，有效减少检测信号之间的耦合，降低相互干扰，从而提高检测精度。
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公开(公告)号：CN103424110A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210151254.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5733
Abstract: 本发明提供一种微型角速度传感器，包括位于第一基板上表面的检测电极，悬于所述第一基板上的驱动质量块、平动质量块、转动质量块、第一梳齿、第二梳齿、检测梳齿、弹性梁，以及固定于所述第一基板上的锚点，还包括用于电连接的多个焊盘及引线。本发明可用以检测一个方向或相互垂直的两个方向的外部角速度，也可同时检测相互正交的三个方向的外部角速度，其中，三个方向为垂直于所述微型角速度传感器所在平面的方向、及位于所述微型角速度传感器所在平面内且相互垂直的两个方向。本发明采用两个转动质量块分别检测所述传感器所在平面内相互垂直的两个方向的外部角速度，有效减少检测信号之间的耦合，降低相互干扰，从而提高检测精度。
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