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公开(公告)号：CN101062761B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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公开(公告)号：CN101062761A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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公开(公告)号：CN1792765A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN100526208C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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