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公开(公告)号：CN104332536A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551209.7
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104332535A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN104241205A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410477241.5
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本发明还公开一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构。本发明可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN104218108A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410477195.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0304 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池，减薄的外延衬底一侧设置背电极，背电极键合在柔性薄膜衬底上；减薄的外延衬底另一侧设置外延结构，外延结构上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置正面栅线电极，且选择性腐蚀欧姆接触层，腐蚀区域设置减反射膜。本发明转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN104201264A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457065.9
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种具有高可靠性电极的红外发光二极管制作方法：提供外延层，在外延层第二型导电层上蒸镀金属反射镜，将其键合在基板上；去除外延衬底，露出微粗化层；在微粗化层表面形成粗化形貌；去除部分微粗化层，微粗化层剩余区域制作焊盘电极，而微粗化层的去除区域露出欧姆接触层；在露出的欧姆接触层表面形成扩展电极图形；形成焊盘电极和扩展电极；逐层去除裸露的欧姆接触层、腐蚀截止层直至露出粗化层；在粗化层的裸露区域形成表面粗化形貌；在基板背面蒸镀背电极，裂片即得。本发明有效提高焊台电极的可靠性，解决焊台电极由于粘附性差而容易脱落的问题，也解决打金线时焊台电极下的外延层容易被打碎的封装难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183679A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410433643.5
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中形成扩展电极，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触；采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104178172A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410408330.4
申请日：2014-08-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的腐蚀液，由以下A、B、C、D、E五种组分组成：A组分为固体柠檬酸；B组分为双氧水；C组分为胺类化合物；D组分为氨基酸类化合物；E组分为去离子水；上述组分的加入量按质量计算为：A组分为5～150份，B组分为10～100份，C组分为1～20份，D组分为1～20份，E组分为100份；优选所述A组分纯度大于99.8%，所述B组分的质量浓度为30%；本发明还公开上述腐蚀液的制备方法；本发明能够较好控制腐蚀液的腐蚀速率，增强腐蚀的均匀性，彻底去除残留物，以获得侧面台阶平整的电池栅线结构。
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公开(公告)号：CN104167479A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391547.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，N≧3，在粗化层上形成第一电极，在基板的另一面上形成第二电极；不同粗化层的表面及侧面形成粗化界面。本发明可以减少有源层在出光界面上出现全反射，增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN104112805A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0062 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN103715326A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410015583.5
申请日：2014-01-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开近红外发光二极管，在GaAs或AlGaAs衬底的顶部自下而上依次形成顶部第一型电流扩展层、顶部第一型限制层、顶部有源层、顶部第二型限制层及顶部第二型电流扩展层；在衬底的底部自下而上依次形成第一型隧穿结、第二型隧穿结、底部第二型电流扩展层、底部第二型限制层、底部有源层、底部第一型限制层及底部第一型电流扩展层；所述第二型隧穿结采用多层膜的外延结构，第二型隧穿结的掺杂源为Mg，且掺杂浓度为2.0×1019以上。本发明使得近红外发光二极管的发光功率得到较大的提升，且其制造工艺较为简单。
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