公开(公告)号：CN106290475A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610624865.4

申请日：2016-08-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  黄如

IPC: G01N27/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G01N27/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种自选择修饰的纳米线生物传感器及其制备方法。本发明的纳米线生物传感器包括：半导体衬底、隔离层、有源层、层间介质、接触孔、金属互联、钝化层、修饰窗口、探针测试窗口和背面电极；本发明在纳米线沟道上形成修饰窗口，待测分子具有优异的自选择性，只会特异性地与纳米线沟道表面的-OH基团成键，对于修饰窗口内其他无-OH基团的疏水性表面则不会产生修饰；在纳米线沟道的表面，生物分子的修饰密度高，信号强度高，感知灵敏度高；并完全通过定义修饰窗口的位置来调控要修饰的区域；背面电极的引入可以实现对纳米线沟道的电势状态的调整，以实现最灵敏的感知；完全和与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN103295890B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102903625B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。

公开(公告)号：CN103515534B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310471167.1

申请日：2013-10-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  方亦陈 ,  潘越 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种高一致性的阻变存储器及其制备方法，采用衬底硅的图形化区域做底电极并与选择性重掺杂相结合的方法，通过选择合适的离子注入方向，使电场能可控的集中到局域的尖峰范围内，从而使每次操作以及每个器件的阻变行为发生在同一位置，进而有效提高器件一致性。本发明采用较简单的工艺方法，即可制备高一致性阻变存储器，同时避免采用贵金属Pt做电极，更有利于工艺集成。

公开(公告)号：CN103227283B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310141859.X

申请日：2013-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  黄英龙 ,  白文亮 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器。本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。

公开(公告)号：CN102664144B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210156456.8

申请日：2012-05-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  林猛 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C23C22/58 ,  C23G1/10 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。

公开(公告)号：CN102646599B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210102518.7

申请日：2012-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种大规模集成电路中FinFET的制备方法。本发明方法是一种后栅工艺，利用STI化学机械抛光平面进行第一次假栅的光刻和刻蚀，然后形成源漏，再淀积中间介质层，再次利用化学机械抛光将中间介质层研磨到第一次假栅的顶部，利用干法刻蚀和湿法腐蚀结合的办法去除假栅，并利用中间介质层形成的硬掩膜回刻STI介质，从而仅仅在栅电极的区域形成Fin结构，此后进行真实的栅介质和栅电极材料的淀积，完成最终器件结构。该方法可以获得很平整的栅线条光刻平面，同时避免了栅材料在Fin侧墙上的残留问题。此外，本发明还能有效地集成高K金属栅工艺，避免电学等效厚度增加和功函数漂移，从而获得优良的器件特性。

公开(公告)号：CN102655112B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210115455.9

申请日：2012-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  李敏 ,  黄如 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/763

Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。

公开(公告)号：CN103887241A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN103824759A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410098730.X

申请日：2014-03-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  宣浩然 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02603 ,  H01L29/0669

Abstract: 一种制备多层超细硅线条的方法，包括：制备硅的腐蚀掩蔽层；外延形成Fin及其两端的源漏区；形成多层超细硅线条。本发明的优点如下：原子层淀积可准确定义超细线条的位置，可控性好；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，腐蚀所得的纳米线截面形貌均匀、平整；采用先制备掩膜，后外延沟道的方法，形成多层侧壁腐蚀掩膜的工艺简单，不论掩蔽层层数多少，仅需一次外延窗口的刻蚀即可得到多层侧壁掩膜；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用TMAH溶液湿法腐蚀多晶硅，操作简便，安全；不会引入金属离子，适用于集成电路制造工艺中；完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。