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公开(公告)号：CN102569337B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210068383.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰的柔性透明存储阵列及其制备方法。本发明采用有机二极管作为驱动管，制备工艺简单，占用面积小，方便等比例缩小。本发明的材料均采用柔性透明的材料，除了具有阻变存储器本身的特性外，还具备柔性、透明等优点，尤其是解决了存储器在集成阵列中串扰的问题，制备的存储阵列可广泛应用在电子纸张、柔性透明显示及其他相关电子系统中。本发明以有机材料取代了传统的昂贵笨重的硅和其他无机材料，是适应未来发展的绿色环保器件，还秉承了有机半导体材料质轻、成本低的优点，而且器件是全透明结构，可通过透明的封装工艺将其制作在透明设备或物品上，尤其可推动新一代显示技术。
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公开(公告)号：CN102610755B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210082206.4
申请日：2012-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活性电极，中间功能层为多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。本发明由于采用了多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜作为功能层，存储器的编程电流小于0.5uA，存储器的擦除电流降至10nA左右或更低，实现有机阻变存储器的超低功耗操作。
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公开(公告)号：CN103258957A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103258957B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310174160.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/0591 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0035 , H01L51/102 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。
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公开(公告)号：CN103227283A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310141859.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器。本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683586A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN102610755A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210082206.4
申请日：2012-03-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活性电极，中间功能层为多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。本发明由于采用了多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜作为功能层，存储器的编程电流小于0.5uA，存储器的擦除电流降至10nA左右或更低，实现有机阻变存储器的超低功耗操作。
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公开(公告)号：CN103258958B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310174161.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲苯层的界面处进行局部氧化修饰，从而形成有利于导电通道形成的薄弱区域，可以人为控制导电通路的位置与尺寸。本发明提出的有机阻变存储器能够提高器件的一致性，同时横向器件结构有利于器件阻变机制的观测和表征，所采用的聚对二甲苯制备成本低，且为透明介质。
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公开(公告)号：CN103227283B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310141859.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器。本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。
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公开(公告)号：CN103258958A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310174161.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述存储器的衬底为绝缘材料，器件单元为横向的MIM电容结构；该MIM结构的两侧电极分别为ITO(氧化铟锡)和Al电极；中间功能层为两个聚对二甲苯层构成的双层结构；在两个聚对二甲苯层的界面处进行局部氧化修饰，从而形成有利于导电通道形成的薄弱区域，可以人为控制导电通路的位置与尺寸。本发明提出的有机阻变存储器能够提高器件的一致性，同时横向器件结构有利于器件阻变机制的观测和表征，所采用的聚对二甲苯制备成本低，且为透明介质。
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