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公开(公告)号：CN102891678A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361604.X
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明实施例公开了反相器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平。本发明实施例中，在节省反相器电路所占面积的同时，实现了反相器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102882514A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210380759.8
申请日：2012-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明实施例公开了与逻辑电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为与逻辑电路的信号输入端或辅助信号输入端，辅助信号输入端工作时连接到低电平；阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个比较器的输入端相连接，以使比较器的输出端作为与逻辑电路的信号输出端；比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，比较器的输出端输出高电平，比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，比较器的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省与逻辑电路所占面积的同时，实现了与逻辑电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102882509B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210381379.6
申请日：2012-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明实施例公开了进位电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器阵列和比较器；阻变忆阻器阵列中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为进位电路的信号输入端；阻变忆阻器阵列中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个比较器的输入端相连接，以使比较器的输出端作为进位电路的信号输出端；比较器的输入端接收到的电压大于阈值电压时，比较器的输出端输出高电平，比较器的输入端接收到的电压小于阈值电压时，比较器的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省进位电路所占面积的同时，实现了进位电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102683586A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN102638030A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102881333B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210359883.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 北京大学
IPC: G11C19/28
Abstract: 本发明实施例公开了移位寄存器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省移位寄存器电路所占面积的同时，实现了移位寄存器电路可编程的性能。
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公开(公告)号：CN102638030B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210119083.7
申请日：2012-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。
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公开(公告)号：CN102663497B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210097673.4
申请日：2012-04-05
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/06
Abstract: 本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。
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公开(公告)号：CN102683586B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210104120.7
申请日：2012-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。
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公开(公告)号：CN102768956A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210228042.1
申请日：2012-07-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法，其步骤包括：在衬底上淀积阻挡层和牺牲层；在牺牲层上涂光刻胶，并定义线条的光刻图形；采用干法刻蚀方法将光刻图形转移至牺牲层；淀积侧墙材料层，并采用干法刻蚀方法形成侧墙；湿法腐蚀侧墙内的牺牲层，形成侧墙掩膜层；利用侧墙掩膜层，通过干法刻蚀将线条图形转移至衬底上，得到细线条。本发明结合了侧墙技术及湿法腐蚀技术，避免了使用电子束光刻、高温氧化等工艺，可获得具有小的边缘粗糙度的细线条。
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