公开(公告)号：CN102194748B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201010125795.0

申请日：2010-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  郭岳 ,  云全新 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺，所述第一离子注入工艺中的注入离子包括硅或碳；对所述源漏扩展区进行第二离子注入工艺；对所述深源漏区进行第三离子注入工艺；对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺。所述半导体器件的制造方法，通过杂质硅或碳注入，可以由源漏扩展区晶格失配有效地在锗沟道中引入合适应力，增强沟道中电子的迁移率，提高器件性能。

公开(公告)号：CN102136428B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110026949.5

申请日：2011-01-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN101789374B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201010100174.7

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜，可以依次自对准的将它们制备出来，由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响，有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。

公开(公告)号：CN102270598B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110240190.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

公开(公告)号：CN103295890A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102270599A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110240897.1

申请日：2011-08-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子及配对离子，去除注入掩膜之后，利用热退火在场区生成氧化硅隔离层。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

公开(公告)号：CN102194748A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010125795.0

申请日：2010-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  郭岳 ,  云全新 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供锗基半导体衬底，所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区，所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极，所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区；对所述源漏扩展区进行第一离子注入工艺，所述第一离子注入工艺中的注入离子包括硅或碳；对所述源漏扩展区进行第二离子注入工艺；对所述深源漏区进行第三离子注入工艺；对经过第三离子注入工艺之后的锗基半导体衬底进行退火工艺。所述半导体器件的制造方法，通过杂质硅或碳注入，可以由源漏扩展区晶格失配有效地在锗沟道中引入合适应力，增强沟道中电子的迁移率，提高器件性能。

公开(公告)号：CN101777499B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010100144.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。

公开(公告)号：CN101777499A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010100144.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。

公开(公告)号：CN103295890B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。