公开(公告)号：CN102074577A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010506129.1

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。

公开(公告)号：CN102064096A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010572032.0

申请日：2010-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 浦双双 ,  黄如 ,  艾玉杰 ,  郝志华 ,  王润声

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L28/20

Abstract: 本发明提供一种细线条的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明采用了3次Trimming掩膜工艺，有效地改善了线条形貌，大大减小了LER(线边缘粗糙度)；同时与侧墙工艺相结合，成功制备出纳米级细线条并能够精确控制到20纳米，从而在衬底材料上制备出优化LER纳米级的线条。

公开(公告)号：CN101847576B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201010153583.3

申请日：2010-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  浦双双 ,  许晓燕 ,  安霞 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  王润声 ,  艾玉杰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。

公开(公告)号：CN101789374A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010100174.7

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种自对准制备平面碰撞电离场效应晶体管(IMOS)的方法，降低了制备平面IMOS对光刻工艺的要求。该方法中，IMOS的源漏区、沟道区与碰撞电离区是由一次光刻定义出来的，不存在对准偏差的影响，通过在后续工艺中选择性湿法腐蚀源区、漏区和碰撞电离区上方的介质膜，可以依次自对准的将它们制备出来，由此消除了传统制备IMOS工艺中多次光刻之间对准偏差的影响，有利于制备出特性稳定可靠的平面IMOS器件。

公开(公告)号：CN101777499B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010100144.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。

公开(公告)号：CN102097296A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010506128.7

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  安霞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。

公开(公告)号：CN101847576A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010153583.3

申请日：2010-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 浦双双 ,  黄如 ,  许晓燕 ,  安霞 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  王润声 ,  艾玉杰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。

公开(公告)号：CN101777499A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010100144.6

申请日：2010-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  范春晖 ,  浦双双 ,  王润声 ,  云全新

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。

公开(公告)号：CN102074577B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010506129.1

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。

公开(公告)号：CN102097296B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010506128.7

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  安霞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。