公开(公告)号：CN105551941B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN104332442A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410616327.1

申请日：2014-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  黎明 ,  安霞 ,  赵阳 ,  张冰馨 ,  刘朋强 ,  夏宇轩 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。

公开(公告)号：CN106898553A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710156386.9

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公布了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法。该器件采用高迁移率沟道材料，可以提高开态电流；在Fin条底部引入局域埋氧层，形成了体在绝缘层上(Body‑on‑Insulator,BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制泄漏电流，并且比SOI(/SGOI/GOI)FinFET具有更小的埋氧层面积，改善了散热问题。

公开(公告)号：CN105655255A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510947001.1

申请日：2015-12-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了一种应变锗器件的制备方法，属于半导体器件制造工艺领域。该制备方法通过离子注入对源漏区域表面进行预非晶化，并在源漏区域中注入张应变诱导元素，然后对衬底进行退火，使非晶区域固相外延再结晶。本发明采用固相外延方法可以抑制应变诱导原子的扩散，使其集中分布在表面，从而提高源漏区域中张应变诱导元素的组分，使沟道中的应力增加，并且与现有工艺兼容，可以用于应变锗MOS器件的工艺基础。

公开(公告)号：CN106898643B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201710156417.0

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。

公开(公告)号：CN108376709A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810198645.9

申请日：2018-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  张冰馨 ,  王家宁 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub-Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub-Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。

公开(公告)号：CN103887241A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN108376709B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201810198645.9

申请日：2018-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  张冰馨 ,  王家宁 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。

公开(公告)号：CN106952959A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710156420.2

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公布了一种锗硅沟道鳍式场效应晶体管及其制备方法。该锗硅沟道鳍式场效应晶体管通过热氧化形成体在绝缘层上(BOI)结构，切断了源漏间的泄漏电流通道，能够有效抑制器件的泄漏电流，并且比SGOI FinFET具有更小的埋氧层面积，可以改善散热效果。另外，在氧化过程中利用锗聚集技术有利于提高沟道中锗组分，提高载流子迁移率，从而提高开态电流。

公开(公告)号：CN106898643A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710156417.0

申请日：2017-03-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  胡向阳 ,  黎明 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。