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公开(公告)号：CN110596560B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810545443.7
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公布了一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，关键在于在FinFET器件接受辐射源辐照时升高器件温度，温度变化量等于器件自热效应引起的温度变化量，通过升温辐照、室温测试得到FinFET器件转移、输出特性曲线，从中提取所需电学参数。该方法考虑了自热效应对FinFET器件总剂量辐射效应的影响，修正了常规总剂量辐照实验方法未考虑自热效应所带来的误差，能更加准确地评估FinFET器件总剂量辐射效应。
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公开(公告)号：CN110596560A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810545443.7
申请日：2018-05-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公布了一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，关键在于在FinFET器件接受辐射源辐照时升高器件温度，温度变化量等于器件自热效应引起的温度变化量，通过升温辐照、室温测试得到FinFET器件转移、输出特性曲线，从中提取所需电学参数。该方法考虑了自热效应对FinFET器件总剂量辐射效应的影响，修正了常规总剂量辐照实验方法未考虑自热效应所带来的误差，能更加准确地评估FinFET器件总剂量辐射效应。
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公开(公告)号：CN108376709A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810198645.9
申请日：2018-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub-Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub-Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。
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公开(公告)号：CN110929468B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201911111343.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/39 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用，通过测试提取单粒子辐照前后多个不同尺寸器件的阈值电压分布，获得单粒子辐照引起的阈值电压涨落，进而对工艺涨落模型进行修正，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求。本发明计算方法简单，应用范围广，可以面向不同技术代和不同辐射环境应用需求，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求，提高纳米级集成电路在辐射环境下工作的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108376709B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810198645.9
申请日：2018-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。
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公开(公告)号：CN110880491B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911099567.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/552 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法，利用纳米级MOS器件引入的应变硅技术的工艺特点，在版图设计时适当调整PMOS器件源漏扩散区长度SA，最终增大沟道中的压应力，从而可以提高沟道中空穴迁移率，提高PMOS器件的常态性能，另一方面，还可以减小总剂量辐照引起的阈值电压漂移，从而减少总剂量辐照对纳米级MOS器件的影响，提高纳米级集成电路抗总剂量辐照性能。
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公开(公告)号：CN110929468A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911111343.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/39 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种单粒子辐照引入的涨落的表征方法及应用，通过测试提取单粒子辐照前后多个不同尺寸器件的阈值电压分布，获得单粒子辐照引起的阈值电压涨落，进而对工艺涨落模型进行修正，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求。本发明计算方法简单，应用范围广，可以面向不同技术代和不同辐射环境应用需求，修正辐射环境下工作的电路设计裕度要求，提高纳米级集成电路在辐射环境下工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN110880491A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911099567.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/552 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法，利用纳米级MOS器件引入的应变硅技术的工艺特点，在版图设计时适当调整PMOS器件源漏扩散区长度SA，最终增大沟道中的压应力，从而可以提高沟道中空穴迁移率，提高PMOS器件的常态性能，另一方面，还可以减小总剂量辐照引起的阈值电压漂移，从而减少总剂量辐照对纳米级MOS器件的影响，提高纳米级集成电路抗总剂量辐照性能。
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公开(公告)号：CN112002642A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910446055.8
申请日：2019-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射效应的FinFET器件设计方法，首先评估FinFET器件Fin高宽比的变化对器件总剂量辐射效应的影响，然后根据评估结果，参照器件抗总剂量辐射效应的指标要求，得到满足器件抗总剂量辐射效应指标要求的Fin高宽比，最后在满足抗总剂量辐射效应要求的基础上，对FinFET器件做进一步的工艺设计。本发明通过设计FinFET器件的Fin高宽比，使设计出来的FinFET器件能够满足抗总剂量辐射效应的要求。
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