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公开(公告)号：CN111564429A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010356668.5
申请日：2020-04-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种集成电路三维异质集成芯片及封装方法，其方法包括：通过临时键合工艺将不同的IC器件键合在第一辅助衬底圆片上，将IC器件和第一辅助衬底圆片通过键合层键合在第二辅助衬底圆片上；减薄第一辅助衬底圆片；利用晶圆级键合技术将第二辅助衬底圆片上的IC器件键合在最终衬底上，去除第二辅助衬底圆片；在IC器件和第一辅助衬底圆片之间填充有机物；重复上述操作以形成若干异质集成层，并在填充层上设置连接IC器件的布线孔，通过电线以实现若干异质集成层电学互联；将多余最终衬底除掉，划片并封装。本发明有效降低三维堆叠芯片的制作难度，集中更多的资源专注器件的性能提升，从而实现高可制造性、高性能、高稳定性的三维异质集成芯片。
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公开(公告)号：CN111293210A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811491104.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/04 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25 , G06K9/00
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN111272158A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911310478.3
申请日：2019-12-18
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C17/38
Abstract: 本发明公开了复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法，包括：获取多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值；判断是否需要进行滤波；若需要进行滤波，构建扩展卡尔曼滤波器，输出加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值的最优估值；若不需要进行滤波，直接输出多冗余传感器中加速度计、磁力计和陀螺仪的输出值；分别用倾角补偿算法、磁场比例角补偿算法和陀螺仪Z轴积分算法解算方位角；根据载体当前运动姿态进行数据融合，得到最优方位角。本发明提供的复杂磁扰动场景MEMS电子罗盘的动态方位角解算方法，使MEMS电子罗盘在磁扰动和动态条件下，自适应完成准确的方位角解算，提高定向精度；算法结构简单，收敛速度快。
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公开(公告)号：CN109990814A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910257904.5
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D5/48
Abstract: 一种基于悬空结构的压电微机械超声传感器，其主要包括基座和压电晶片，其中压电晶片通过一个或多个连接件悬空设置在所述基座上，所述压电晶片用于产生或接收超声波。一方面，由于压电晶片和基座之间采用连接件进行连接，使得压电晶片处于悬空状态，利于减小基座对压电晶片的拉应力束缚，从而减少残余应力的影响；另一方面，由于压电晶片的悬浮结构设计，使得传感器自身能够实现更好的谐振运动，对于边缘的束缚应力更小，压电晶片或压电薄膜的振动位移更大，利于产生高声压的超声波，实现更为准确的识别和探测。
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公开(公告)号：CN109472182A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710803335.0
申请日：2017-09-08
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00
Abstract: 一种超声波模块及其制造方法，该超声波模块包含基底、复合层、以及覆盖层。基底具有上表面。复合层具有顶面、底面及内陷于底面的内凹面。底面位于基底的上表面上，内凹面与上表面之间形成至少一空间。复合层具有至少一第一沟槽，第一沟槽由顶面朝内凹面延伸。第一沟槽将复合层区隔为电路结构与连接电路结构的超声波结构。覆盖层结合复合层的顶面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109326655A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810980459.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/94 , H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/945 , H01L21/82 , H01L27/101 , H01L29/66181
Abstract: 本发明公开了一种半导体变容器及其制造方法，该半导体变容器包括具有相对的第一表面和第二表面的衬底、衬底上的深孔、与衬底导电类型相反的第一高掺杂区和相同的第二高掺杂区、衬底的第一表面上的介质层和控制电极；深孔可为盲孔或通孔，填充有绝缘层和导电材料；控制电极位于介质层之上，并且两者的外缘与绝缘层和第一高掺杂区邻接。本发明通过利用两个金属-氧化物-半导体结构来实现变容器，使得变容器的可调范围和调制电压可以分别设计优化，具有较好的灵活性且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105760624B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610151305.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种支持大规模三维集成电路的热仿真和热设计方法。首先对输入的三维集成电路区块参数文件进行解析，得到三维集成电路区块位置、区块形状和尺寸、区块材料对应的热导率、区块包含的功率大小；然后调用有限元仿真工具建立三维集成电路热模型，并进行网格划分和求解器设置；然后进行仿真计算，计算结束后导出三维集成电路热分析结果。进而，利用热仿真结果对三维集成电路进行热评估，计算平面内温度方差，平面内最高温度、最低温度、平均温度图，以及平面间温度梯度；然后利用分析得出的结论指导三维电路布图、布局和布线。本发明能够在现有计算机硬件计算能力条件下，进行高效的三维集成电路的热仿真和热设计。
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公开(公告)号：CN108733869A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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公开(公告)号：CN108557759A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810444198.0
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能柔性触力传感器及其制备方法。该高性能柔性触力传感器是基于柔性微机电系统工艺制造的高性能柔性触力传感阵列，由硅基压阻式触力传感器作为传感单元，由柔性聚合物材料填充的柔性隔离槽作为柔性互连。本发明通过高精度硅基微机电系统加工技术实现的该触力传感阵列具有较高的线性度和灵敏度，且结构稳定、性能可靠、耐用性良好；同时，通过柔性隔离槽连接刚性传感单元实现柔性触力传感阵列的新技术具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN104880190B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510294532.5
申请日：2015-06-02
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明公开了一种用于惯导姿态融合加速的智能芯片，所述智能芯片将姿态解算的梯度极值算法固化成硬件加速逻辑，将软件解算与硬件加速结合在一起，所述智能芯片按照数据流的顺序从输入到输出依次包括：SPI通信接口模块（1）、四元数初始化模块（2）、高速寄存模块（3）、四元数更新模块（4）和四元数反馈及输出模块（5），以提升惯导系统姿态融合的速度和精度。
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