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公开(公告)号：CN108735693B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810330872.2
申请日：2018-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种高散热性硅/玻璃复合转接板。包括依次层叠的下层硅片、上层硅片及玻璃片；其中，所述下层硅片背面形成有叉指状冷却液进出流道，正面形成有与冷却液进出流道的两端连通的冷却液进出口；所述上层硅片背面形成有与冷却液进出流道连通的毛细微流道，正面形成有至少一键合凸起部；所述玻璃片通过该键合凸起部与上层玻璃片键合。该复合转接板具有高散热性能，流阻小的优点，且提供一个良好的电介质环境，为射频领域中实现高散热且良好电绝缘转接板提供一套成熟可行的解决方案。同时提供上述转接板的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108733869B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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公开(公告)号：CN105760624B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610151305.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种支持大规模三维集成电路的热仿真和热设计方法。首先对输入的三维集成电路区块参数文件进行解析，得到三维集成电路区块位置、区块形状和尺寸、区块材料对应的热导率、区块包含的功率大小；然后调用有限元仿真工具建立三维集成电路热模型，并进行网格划分和求解器设置；然后进行仿真计算，计算结束后导出三维集成电路热分析结果。进而，利用热仿真结果对三维集成电路进行热评估，计算平面内温度方差，平面内最高温度、最低温度、平均温度图，以及平面间温度梯度；然后利用分析得出的结论指导三维电路布图、布局和布线。本发明能够在现有计算机硬件计算能力条件下，进行高效的三维集成电路的热仿真和热设计。
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公开(公告)号：CN108733869A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810252274.8
申请日：2018-03-26
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种大规模三维集成电路分区方法和装置。该方法首先进行均匀分区，包括：对三维集成电路进行热导率等效处理，并进行有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；比较直接细节仿真计算和等效热导率的计算结果，偏差超过设定的阈值则对各电路层进行均匀分区，然后再次进行热导率等效处理和有限元仿真计算，得到等效热导率的计算结果；重复以上步骤，进行第二次或更多次均匀分区，各次均匀分区的分区数量递增，直至等效热导率仿真精度达到要求。在均匀分区基础上，进行树状分区和导热通路场修正的均匀分区。本发明的集成电路分区方法大大降低了仿真计算的计算成本，三种分区方法提高了计算精度同时也减少了计算资源的消耗。
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公开(公告)号：CN108735693A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810330872.2
申请日：2018-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种高散热性硅/玻璃复合转接板。包括依次层叠的下层硅片、上层硅片及玻璃片；其中，所述下层硅片背面形成有叉指状冷却液进出流道，正面形成有与冷却液进出流道的两端连通的冷却液进出口；所述上层硅片背面形成有与冷却液进出流道连通的毛细微流道，正面形成有至少一键合凸起部；所述玻璃片通过该键合凸起部与上层玻璃片键合。该复合转接板具有高散热性能，流阻小的优点，且提供一个良好的电介质环境，为射频领域中实现高散热且良好电绝缘转接板提供一套成熟可行的解决方案。同时提供上述转接板的制造方法。
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公开(公告)号：CN105760624A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610151305.1
申请日：2016-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5036 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , G06F2217/80
Abstract: 本发明涉及一种支持大规模三维集成电路的热仿真和热设计方法。首先对输入的三维集成电路区块参数文件进行解析，得到三维集成电路区块位置、区块形状和尺寸、区块材料对应的热导率、区块包含的功率大小；然后调用有限元仿真工具建立三维集成电路热模型，并进行网格划分和求解器设置；然后进行仿真计算，计算结束后导出三维集成电路热分析结果。进而，利用热仿真结果对三维集成电路进行热评估，计算平面内温度方差，平面内最高温度、最低温度、平均温度图，以及平面间温度梯度；然后利用分析得出的结论指导三维电路布图、布局和布线。本发明能够在现有计算机硬件计算能力条件下，进行高效的三维集成电路的热仿真和热设计。
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