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公开(公告)号：CN101320676B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810099893.4
申请日：2008-06-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , C23F4/00 , H01J37/32 , B01J3/03
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室(11)的真空处理装置(10)中，在对腔室(11)内抽真空时，通过APC阀(16)在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室(11)内的压力维持为6.7～13.3×102Pa(5～10Torr)(压力维持)，接着，向腔室(11)内迅速导入加热气体，使腔室11内迅速升压至1.3～2.7×104Pa(100～200Torr)(迅速升压)，在时间T1到时间T2之间，多次重复压力维持和迅速升压。
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公开(公告)号：CN101752224A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910260636.9
申请日：2009-12-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02057 , H01J37/32862 , Y10S438/905 , Y10S438/906
Abstract: 本发明提供防止异物向其它构成部件附着并且能够方便地清洗构成部件的构成部件的清洗方法。晶片干洗装置(10)包括：处理室(11)、设置在该处理室(11)内的下方用于载置晶片(W)的载置台(12)、处理室(11)内与载置台(12)相对配置的附着颗粒的捕集板(13)、作为感应耦合型等离子体生成装置的等离子体生成装置(14)，首先向处理室(11)内搬入伪晶片(20)，使该伪晶片(20)表面产生正电位，在比伪晶片(20)离捕集板(13)更近的区域重复进行表面波等离子体的生成和表面波等离子体生成的中止，之后，将伪晶片(20)从处理室(11)内搬出。
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公开(公告)号：CN101637766A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910161234.3
申请日：2009-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B08B3/02
CPC classification number: B08B3/10 , B08B13/00 , B08B2230/01
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法，能够进行比以往效率高的清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置(100)具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器(2)、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口(5)、连接纯水水蒸气生成容器和供给口的供给管路(4)、从被清洗部位回收在清洗中使用后的使用完毕水蒸气的回收口(6)、将使用完毕水蒸气凝结并回收的回收容器(8)、以及连接回收口(6)和回收容器(8)的回收管路(7)。
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公开(公告)号：CN100584714C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510069374.X
申请日：2005-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(11)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101582378A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910145487.1
申请日：2005-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G05B19/04
Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524609C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510118834.3
申请日：2005-10-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , G05B19/04 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23F4/00 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
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公开(公告)号：CN100519368C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510067932.9
申请日：2005-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置(10)由箱状的腔室(11)及腔室(11)内配有的输送臂(12)、负责该腔室(11)内排气的排气管线(15)、使N2气体进入腔室(11)内的气体导入管线(18)等构成。利用输送臂(12)使施加高电压的带有电极层(25)的拾取器(24)移动到腔室(11)内所希望的位置。气体导入管线(18)将N2气体导入腔室(11)内，且由排气管线(15)使腔室(11)排气，使腔室(11)内产生粘性流，再对移至希望位置的拾取器(24)的电极层(25)加高电压，从而使腔室(11)内面和拾取器(24)之间产生静电场，这样，静电应力就会作用于粒子堆积的腔室(11)内面。
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公开(公告)号：CN101355018A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810144215.5
申请日：2008-07-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守屋刚
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/677 , C23C16/54
CPC classification number: H01L21/67201
Abstract: 本发明提供一种气密模块以及该气密模块的排气方法，能够不降低生产效率地防止在基板的主面形成的图案发生倾倒。基板处理系统的负载锁定模块(5)具有移载臂(31)、腔室(32)以及负载锁定模块排气系统(34)，在腔室(32)内以与搬入到腔室(32)内的晶片(W)的主面相对的方式配置有板状部件(36)，在晶片(W)的主面的正上方，通过晶片(W)的主面和板状部件(36)划分成与腔室(32)的剩余部分隔离的排气流路，该排气流路的截面积比腔室(32)的剩余部分的截面积小。
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公开(公告)号：CN101320677A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810128050.2
申请日：2004-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置。为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。
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公开(公告)号：CN100437901C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610151453.X
申请日：2004-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L23/31 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。
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