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公开(公告)号：CN108428740A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810148858.0
申请日：2018-02-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有含虚栅的复合栅结构的IGBT芯片，包括形成于晶圆基片上的若干复合栅单元，复合栅单元包括栅极区和有源区，栅极区包括第一沟槽栅极、第二沟槽栅极和平面栅极，平面栅极与第一沟槽栅极相连，第二沟槽栅极悬空、接地或与平面栅极相连；有源区包括位于栅极区两侧的沟槽栅有源区和平面栅有源区，其均包括自下而上分布的N阱区、P阱区、P+掺杂区和N+掺杂扩散区。本发明可实现平面栅极和第一沟槽栅极共存于同一芯片，从而大大提升芯片密度，并通过平面栅极和第一沟槽栅极之间的第二沟槽栅极有效屏蔽平面栅极和第一沟槽栅极二者间相互干扰，同时优化复合栅的输入和输出电容，优化芯片开通电流的变化率，降低开关损耗。
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公开(公告)号：CN107808850A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201610808312.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。
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公开(公告)号：CN107248508A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710347039.4
申请日：2015-01-19
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种功率端子组及功率电子模块，该功率端子组包括阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和阴极端子在竖直方向呈蛇形蜿蜒叠层结构，且阳极端子与阴极端子构造成：两者的结构相互配合，以使在通入电流时，阳极端子与阴极端子产生的电感可相互抵消。包含该功率端子组的功率电子模块具有较低的电感。
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公开(公告)号：CN107065450A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710325616.X
申请日：2017-05-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，该芯片的光刻版及其曝光方法，方法包括：根据曝光场大小将大尺寸芯片划为两个以上的区域单元，根据芯片类型分为边角、边缘或中心区域单元的任一种，同一类型区域单元图形一致；将区域单元组合成光刻版，光刻版包括由芯片划分的所有区域单元类型，光刻版尺寸小于或等于芯片尺寸；利用遮光板选取光刻版上相应区域单元对硅片曝光；通过光刻机的硅片偏置和旋转设置，将曝光的区域单元图形转移至硅片相应位置，将剩余区域单元通过遮光板曝光窗口，及硅片偏置和旋转操作，逐一曝光。本发明能够解决现有芯片制作采用多块版拼接，光刻版数量多、成本大，拼接时容易造成误差，无法适用于具有复杂结构芯片制备的技术问题。
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公开(公告)号：CN106783611A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710169410.2
申请日：2017-03-21
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66325 , H01L29/0607 , H01L29/66348 , H01L29/7393 , H01L29/7397
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀并沉积栅氧化层；步骤3，对IGBT器件主体的沟槽进行N型掺杂的多晶硅层沉积并填充满沟槽；步骤4，刻蚀掉IGBT器件主体的沟槽外多余的N型掺杂的多晶硅；步骤5，对IGBT器件主体的表面进行多晶硅氧化层的沉积；步骤6，对完成多晶硅氧化层沉积的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对IGBT器件主体的沟槽进行P型掺杂，在沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。通过在栅极的沟槽内形成内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105957861A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610480973.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/041 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN105914205A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610300210.1
申请日：2016-05-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L25/18 , H01L23/4951 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/83365 , H01L2224/83379
Abstract: 本发明公开了一种功率模块结构和功率模块制造方法，其中，功率模块结构包括：主开关器件和续流二极管的电压等级一致，电流大小相同，主开关器件的集电极与续流二极管的阴极键合后，主开关器件倒装焊接在衬板上，衬板上设置有多个分立的覆铜层，其中，主开关器件的发射极与衬板上的第一覆铜层焊接，栅极与衬板上的第二覆铜层焊接，主开关器件的集电极引出线与衬板上的第三覆铜层键合，续流二极管的阳极引出线与衬板上的第四覆铜层键合。所述功率模块结构及功率模块制造方法，通过将键合后的主开关器件和续流二极管倒装焊接在衬板上，实现功率模块的紧凑化和小型化，提高功率模块功率密度。
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公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN205752165U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620659669.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN205723548U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620667076.4
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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