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公开(公告)号：CN112864006B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110034385.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/266 , H01L21/225 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN115274943A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN115001438A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210732455.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及异质集成器件制备技术领域，提供了一种纵向泄漏声表面波谐振器的结构及滤波器，声波谐振器的结构包括衬底，设置在衬底上的压电薄膜，设置在压电薄膜上的电极阵列。电极阵列包括叉指电极阵列和反射栅电极阵列，反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距小于叉指电极阵列中叉指电极的中心间距。基于本申请实施例提供的一种非标准反射栅结构，通过减小反射栅电极阵列中反射栅电极的中心间距，可以提高反射栅电极阵列的反射频率区间，从而可以抑制纵向泄漏波的杂散模式，提高声波谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN112530803B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011410376.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制备N极性面GaN基HEMT器件以及Ga极性面GaN基HEMT器件，扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN114362719A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111466267.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法，单片集成声波滤波阵列包括：支撑衬底；支撑衬底包括多个支撑区域，多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域，第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理；位于支撑衬底上表面的压电层；多个支撑区域中每个支撑区域在对应的区域表面(如压电层内)上能够激发预设声波模式和/或预设声波频率，多个支撑区域对应多个不同的预设声波模式和/或预设声波频率；位于压电层上表面的电极阵列；电极阵列包括多个电极，多个电极与多个支撑区域一一对应。如此，可以实现多频段声学器件的单片集成，解决实际需求中声表面波谐振器、体声波谐振器等协同工作带来的体积大、工艺复杂、成本高等问题。
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公开(公告)号：CN114362709A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111467176.4
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明提供一种声学谐振器及其制备方法。该声学谐振器由于在第一支撑层内设有弹性波陷阱结构；弹性波陷阱结构的弹性力学参数与支撑衬底的材料的弹性力学参数不相等，该弹性波陷阱结构可以阻碍谐振器工作模式向衬底的传播，将能量约束在衬底上方压电薄膜上表面处，从而减少了声波能量向衬底的泄漏，可以提高器件的品质因数，并拓宽了谐振器工作模式的选择范围，提高了工作频率和带宽。
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公开(公告)号：CN114362705A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111466618.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供单晶压电层；对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层；在缓冲层的目标注入区域注入离子，以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成改性压电层；对缓冲层进行去膜处理，以去除缓冲层；在改性压电层的上表面形成图案化电极，得到声波谐振器。本申请通过对单晶压电层进行离子注入，在单晶压电层的高度方向上形成了材料性质不同的改性压电层，利用改性压电层不同的改性压电材料特性，提高了声波谐振器的工作频率和品质因数，并且降低了声波谐振器的器件损耗。
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公开(公告)号：CN111564756B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010290079.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种硅基无磷激光器及其制备方法，该方法包括：在InP衬底上生长InGaAs外延层；利用离子注入的方式在所述InGaAs外延层中注入离子形成损伤层；将所述InGaAs外延层与硅衬底键合；通过加热的方式将所述InGaAs外延层于所述损伤层处剥离，得到硅基InGaAs衬底；将所述硅基InGaAs衬底的顶层抛光后外延InGaAs缓冲层、超晶格位错阻挡层、腐蚀阻挡层以及激光器结构。本申请的硅基无磷激光器及其制备方法通过键合技术直接获得高质量的硅基InGaAs衬底，可以避免在硅衬底上直接外延生长III‑V族化合物所产生的的失配位错、缺陷、反相畴等影响后续材料外延生长质量的问题。
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公开(公告)号：CN111146681B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201911320620.2
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SiC基InP光子集成模块的制备方法，包括以下步骤：获取单晶SiC衬底层；在单晶SiC衬底层上制备Fe掺杂的InP薄膜层，形成异质衬底；在异质衬底上采用异质外延生长方法依次层叠制备波导层和有源层；对有源层进行光栅刻蚀并在有源层上制备电极接触层；对波导层、有源层和电极接触层进行刻蚀，制备分布式反馈激光器，并制备放大器和调制器中的任意一种；采用选区外延方法在Fe掺杂的InP薄膜层上依次制备波导接触层和探测器结构；对探测器结构进行刻蚀，制备探测器。本申请实施例提供的SiC基InP光子集成模块的制备方法中，将InP与SiC基衬底结合，制备了低热阻，低失配的SiC基InP光子集成模块。
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公开(公告)号：CN114142946A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111436608.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构，制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层，待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在待刻蚀层形成波导光栅耦合结构，得到待腐蚀结构，并对待腐蚀结构进行腐蚀处理，去除牺牲层，得到量子点薄膜，之后将量子点薄膜转移至待转移结构上的待转移区域，并在待刻蚀区域刻蚀出待施压区域，得到光量子芯片。基于本申请实施例通过在待刻蚀区域上刻蚀待施压区域以施加驱动电压，通过压电效应来调控精细结构分裂，提高量子纠缠光源的产率，实现片上量子纠缠光源的光量子芯片。
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