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公开(公告)号：CN113666364A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110988599.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异质结下的石墨烯层的拾取，得到完整且连续的石墨烯层；另外，hBN层作为中间层在实现石墨烯层完成且连续拾取的同时，还可以用作顶栅的栅介质层或石墨烯的保护层，使其免受后续加工过程中各种有机物、聚合物及空气掺杂的影响，使其在CVD石墨烯的射频器件等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113394126A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110407842.9
申请日：2021-04-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提高气相刻蚀方法的探测精度。
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公开(公告)号：CN113072099A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010006214.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。
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公开(公告)号：CN112599470A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011445232.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN111876822A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010629650.8
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅生长炉热屏及单晶硅生长炉，所述热屏设置在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚的上部，所述热屏包括屏壁和屏底，所述屏底具有供熔体提拉通过的窗口，所述屏底包括上层、下层和侧壁，所述侧壁连接与所述上层和所述下层之间且围成所述窗口，所述下层朝向所述熔体的液面，所述下层设为齿状结构，用于将外部热能反射到所述熔体液面时不会继续反射到单晶硅晶体侧壁；通过将屏底的下层设置为齿状结构，可以避免外部热能量被单晶硅晶体吸收，从而避免晶体表面热补偿过高，有效优化晶体纵向温度梯度，提高硅片径向的质量均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933183B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810715873.9
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学 , 复旦大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/028
Abstract: 本发明提供的基于硅‑石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。
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公开(公告)号：CN111129113A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911346297.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/86
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法，涉及微电子技术领域。本发明首先通过在具有10°偏角(100)晶面的锗衬底上生长一层石墨烯薄膜，并依次经过曝出点阵阵列、覆盖掩膜层、剥离并保留点阵孔洞里的掩膜、等离子体进行刻蚀掩膜层外的石墨烯、腐蚀掉保护层、退火并生长石墨烯纳米带阵列、曝出电极区域、制备电极，最终完成直接在半导体衬底上制备石墨烯纳米带器件阵列。相比于现有技术，本发明避免了掩膜刻蚀法制备石墨烯纳米带阵列带来的石墨烯载流子迁移率降低的问题，同时打开了石墨烯的带隙；而且，本发明采用的制备工艺与目前成熟的半导体工艺兼容，为石墨烯微电子器件的实际运用和大规模生产提供了可能。
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公开(公告)号：CN110065939A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810062548.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气，氢气使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆氢气的石墨烯气泡。通过上述方案，本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该石墨烯结构的制备方法，本发明的技术方案可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN109427908A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710734604.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G01N27/414 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维硅纳米线阵列场效应晶体管、生物传感器及制备方法，晶体管制备包括：提供基底，并于基底表面沉积由第一材料层及第二材料层交替的叠层材料层，第二材料层为含硅材料层；形成沟道区及与其两端相连接的源区和漏区的图形；刻蚀叠层材料层，直至暴露出基底；腐蚀上述结构，得到三维硅纳米线阵列沟道、源区及漏区；于硅纳米线沟道表面沉积介质层；于源区、漏区的顶部表面以及纳米线沟道外围的基底上制作源电极、漏电极及栅电极。通过上述方案，本发明的生物传感器具有环栅式结构，可实现360°环绕式感应，硅纳米线场效应晶体管采用三维堆叠的阵列结构，可减小器件尺寸，实现信噪比的提升，省略源漏掺杂的步骤，工艺简单适于批量生产。
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公开(公告)号：CN109280903A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811245546.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。
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