公开(公告)号：CN113072099B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202010006214.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王晨 ,  田子傲 ,  陈玉龙

IPC: C01G41/00 ,  C01G39/06 ,  C01B19/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。

公开(公告)号：CN113072099A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010006214.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王晨 ,  田子傲 ,  陈玉龙

IPC: C01G41/00 ,  C01G39/06 ,  C01B19/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。

公开(公告)号：CN117615583A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311388598.1

申请日：2023-10-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  王晨 ,  狄增峰 ,  姜海涛 ,  田子傲

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  H10K85/20

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯场效应管及其制备方法，本发明可以避免在器件制作过程中因多次使用有机胶而对石墨烯沟道引入的污染，避免导电沟道因杂质散射对器件直流和射频性能的降级。