公开(公告)号：CN1971849A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163673.4

申请日：2006-11-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/14 ,  B23K26/06 ,  B23K26/42 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/073 ,  B23K26/032 ,  B23K26/142 ,  B23K26/705 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/13

Abstract: 由于传统的激光照射装置所用的排放气体的板的尺寸较大，并且在激光光线最后通过的光学系统与板之间的距离不足，因此很难检查从激光光线最后通过的光学系统传输的激光光线的状态。提供了一种激光照射装置，包括：激光振荡器、用于对激光振荡器产生的激光光线进行整形的光学系统、具有用于排放气体的开口的送风器、设置在送风器下面的台、在台上的用于在送风器与台之间保持恒定距离的构件、和设置在光学系统与送风器之间用于观测透射通过光学系统的激光光线的构件。

公开(公告)号：CN1492488A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03158812.3

申请日：2003-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  高野圭惠 ,  古山将树 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00 ,  G02F1/00

Abstract: 本发明的目的是提供使激光能量更稳定的激光装置、激光照射方法和半导体器件的制作方法。为此，对振荡器发射的激光束的一部分进行采样，以生成包含激光束的能量波动作为数据的电信号。对该电信号进行信号处理，以计算激光束能量波动的频率、幅度和相位。光量调节装置的透射比被控制，使得透射比变化的相位与激光束能量波动的相位相反，且幅度能够减小振荡器发射的激光束的幅度，该控制根据与从振荡器发射的激光束的振荡同步的信号的相位与计算得到的相位之间的相位差、根据采样的激光束与从振荡器发射的激光束的能量比率、以及根据计算得到的频率和幅度进行。在光量调节装置中，从振荡器振荡的激光束的能量被调节。

公开(公告)号：CN118235542A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075632.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  饭窪阳一

IPC: H10K71/20 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K59/10 ,  H10K77/10

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。在第一绝缘层上形成像素电极，进行表面处理来使第一绝缘层的从像素电极露出的区域疏水化，在像素电极上形成包含发光材料的第一膜，在第一膜上形成第一牺牲膜，对第一膜及第一牺牲膜进行加工来以覆盖像素电极的方式形成第一层及第一牺牲层，第一层在不与像素电极重叠的区域中与第一绝缘层接触。

公开(公告)号：CN102136498B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010620963.3

申请日：2010-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明名称为“薄膜晶体管”。提供一种具有有利电特性和高生产率的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括覆盖栅电极的栅绝缘层、与栅绝缘层接触的半导体层、与部分半导体层接触并充当源区和漏区的杂质半导体层及与杂质半导体层接触的布线。半导体层包括具有凹凸形状且在栅绝缘层侧上形成的微晶半导体区和与微晶半导体区接触的非晶半导体区。在半导体层与布线之间提供势垒区。

公开(公告)号：CN101834140B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010139407.4

申请日：2010-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  加藤绘里香 ,  铃木邦彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 不容易发生工作初期中的退化的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。制造一种薄膜晶体管，包括：至少最外表面为氮化硅层的栅极绝缘层；设置在该栅极绝缘层上的半导体层；以及在该半导体层上的缓冲层，其中该半导体层中的与栅极绝缘层的界面附近的氮浓度低于缓冲层及半导体层的其他部分的氮浓度。这种薄膜晶体管在形成半导体层之前将栅极绝缘层暴露于大气气氛，并且进行等离子体处理来制造。

公开(公告)号：CN102509736B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110421039.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。

公开(公告)号：CN101937932B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN101667599B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200910173699.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥绘里香 ,  加藤高之 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，在衬底上具有栅电极层、半导体层、设置在栅电极层和半导体层之间的栅极绝缘层、接触于半导体层的源区及漏区、接触于源区的源电极层以及接触于漏区的漏电极层，其中源区及漏区由添加有赋予一种导电型的杂质的微晶半导体层形成，在半导体层中接触于源区及漏区的区域由晶体区域形成，因为半导体层中的晶体区域不形成在背沟道区中而被分离，所以其成为一对。并且在半导体层中具有包括非晶半导体的半导体层。从而提高反交错型薄膜晶体管的电特性。

公开(公告)号：CN102569189B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201210027007.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高的该半导体装置的制造方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101645462B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910161498.9

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有缓冲层的正交错型(顶栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层的载流子浓度高的缓冲层，来形成欧姆接触。