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公开(公告)号：CN108873454A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810706726.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G02F1/1335
Abstract: 本申请本发明提供的主动发光彩色显示面板，包括阵列基板、集成式LED基板和彩膜层，由于本发明提供的主动发光彩色显示面板，直接由阵列基板控制每个子像素内的LED发射不同的光，且集成式LED基板上方仅设置彩膜层，从而使得LED发出的光透过的物质层较少，其他物质层对LED发出光的吸收较少，相对于现有技术中的液晶显示器，无需使用液晶、上下偏振片，进而提高了LED显示面板的亮度，提高了LED的光能利用率。且通过阵列基板上的扫描线和数据线能够单独控制每一个LED的发光，从而使得不同颜色的子像素的亮度可以不同，更加利于彩色显示面板或彩色显示装置的配色设置。
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公开(公告)号：CN108807265A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810743952.0
申请日：2018-07-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/77
Abstract: 本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法，所述Micro‑LED巨量转移方法，通过将阵列上的LED芯片分为两部分，且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，其中一部分的第一表面与第一转移基板结合，另一部分的第二表面与第二转移基板结合，将第一部分的LED转移至第一转移基板上，第二部分的LED转移至第二转移基板上。即通过将两个表面分别结合至两个转移基板上，然后通过一次分离，使得Micro‑LED实现巨量转移，无需剥离等复杂工艺，且LED芯片为已经制作完成的LED芯片，无需在巨量转移之后再进行芯片工艺，从而相对于现有技术而言，更加简单，而且成本较低。
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公开(公告)号：CN108417675A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810256911.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075 , H01L33/48 , H01L33/60
Abstract: 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，所述高压发光二极管包括：第一部分和第二部分，其中，第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结，通过隧穿结作用，第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层，再通过第一透明导电层，实现两个发光二极管的发光结构不同类型导电层同侧分布且水平桥接；而不同高压发光二极管结构中的第一部分和第二部分通过第二透明导电层连接，同样也是不同类型导电层同侧的水平桥接，解决了传统高压发光二极管在桥接过程中，存在高度差，而造成的高压发光二极管性能较差的问题。
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公开(公告)号：CN106449924B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开种光热电分离的倒装LED芯片,在衬底上形成缓冲层,在缓冲层上形成N‑GaN,在N‑GaN上形成有源层,在有源层上形成P‑GaN,依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN;在P‑GaN上形成金属反射层,在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层,在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层,导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极,P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接,N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离,出光面无电极挡光,取光效率高,热量由导热金属层导出,增加芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN106206893B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610557361.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO2和In2O3构成。本发明还公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管制作方法。本发明有效提高ITO电流扩展效果，减小电极的遮光面积，提高有源区光的萃取率，提高芯片可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107895753A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711122687.6
申请日：2017-11-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成SiN缓冲层；在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层；在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层；在AlN缓冲层背离SiN与AlN混合渐变层的一侧依次形成GaN缓冲层、非故意掺杂层、第一导电层、有源区以及第二导电层层；其中，SiN与AlN混合渐变层包括依次设置的多层SiN与AlN混合层。该制作方法通过在SiN缓冲层与AlN缓冲层之间设置多层SiN与AlN混合层，降低了Si衬底的发光二极管外延层中氮化物的应力，进而使有源区的晶体质量得以有效提高，最终有效的提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN107731978A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710919143.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/44
Abstract: 本申请公开了一种LED的外延结构及其制作方法，该制作方法包括：提供一图形化的衬底，所述衬底具有一用于形成氮化物外延层的第一表面，所述第一表面具有平面区域以及凸起区域；形成覆盖所述第一表面的牺牲层；去除位于所述平面区域的所述牺牲层；形成覆盖所述牺牲层以及所述平面区域的氮化物缓冲层；在位于所述凸起区域顶部的所述氮化物缓冲层形成开口，露出位于所述凸起区域顶部的所述牺牲层；去除覆盖所述凸起区域的所述牺牲层，去除位于所述凸起区域浮离的所述氮化物缓冲层，仅保留位于所述平面区域的氮化物缓冲层；以位于所述平面区域的所述氮化物缓冲层为基核沉积氮化物外延层。本发明技术方案提高了LED的外延结构的均匀性以及可靠性。
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公开(公告)号：CN104733487B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510122251.1
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本发明将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN107546307A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710822147.2
申请日：2017-09-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂层、第一掺杂层、第一重掺杂层、第一欧姆接触层、第一高掺杂层、第一隔离层、第二掺杂层、第一电流阻挡层、有源区、第二电流阻挡层、第三掺杂层、第二欧姆接触层、透明导电层以及第一电极、第二电极和第二保护层；第二掺杂层包括第一平台，第一高掺杂层包括第二平台，第一欧姆接触层包括第三平台，且第一平台、第二平台、及第三平台的表面粗糙度不同；第一电极与第一平台、第二平台、以及第三平台直接接触，第一电极和第二电极通过第二保护层电性隔离。本发明中发光二级管的制作过程简单，降低了芯片的制作成本，并有效的解决了发光二极管电流拥挤的问题。
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公开(公告)号：CN107331742A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710596447.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/22
Abstract: 本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，其中，所述发光二极管外延结构制作方法包括：提供衬底；在衬底上依次外延生长缓冲层、第一型非故意掺杂层、第一型导电层、非掺杂层以及第二型导电层；刻蚀非掺杂层和第二型导电层，形成纳米柱结构；再次外延生长多量子阱层和电子阻挡层、第二型导电层。采用纳米柱结构替代传统的V-pits结构，由于纳米柱结构晶体质量好，且能够将第一型导电层和第二型导电层隔离，从而解决V-pits容易引起漏电而导致器件失效的问题。
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