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公开(公告)号：CN105304771A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510703819.9
申请日：2015-10-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开一种具有高扩展效应的发光二极管的制作方法，包括以下步骤：提供一外延衬底；使用MOCVD在所述外延衬底上生长发光二极管外延层；在所述发光二极管外延层表面形成保护胶，然后在所述发光二极管外延层侧面四周的两面交替蒸镀复数层Ni-Fe合金膜与Si3N4膜；在所述发光二极管外延层侧面四周的另两面交替蒸镀复数层Si3N4膜与Ni-Fe合金膜；去除所述发光二极管外延层表面保护胶，露出p电极和n电极，并分离成独立的发光二极管器件。本发明达到了有效增强发光二极管的N、P型的电流扩展效果，而又不会增加了电极挡光面积，以及提高在大面积尺寸芯片的N型电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN105226157A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510652928.2
申请日：2015-10-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种大尺寸发光二极管制作工艺，包括以下步骤：一，在外延衬底上依次生成布拉格反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、电流扩展层及复合的多层欧姆接触层结构；二，在复合的多层欧姆接触层结构上采用掩膜、光刻、湿法腐蚀工艺露出阶梯状表面；三，在裸露的阶梯状表面蒸镀ITO导电层，形成阶梯状接触面，在ITO导电层上生成第一电极，在衬底上生成第二电极。本发明可以提高ITO导电层的电流扩展效果，减少扩展电极的挡光面积，提高发光二极管的发光效率，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN105206719A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510627355.8
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN；在所述限制层P-AlGaN上形成V型坑蚀刻层；在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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公开(公告)号：CN105047785A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510570680.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有微光学传输系统的发光二极管，包括一外延衬底，所述外延衬底上方设置一缓冲层，所述缓冲层上方设置一第一型导电层，所述第一型导电层上方设置一有源层，所述有源层上方设置一第二型导电层，所述第二型导电层上方设置一图形制作层，所述图形制作层内下端部设置有电极布拉格反射层，所述电极布拉格反射层具有若干个圆柱状孔洞，且该若干个圆柱状孔洞内充满所述图形制作层材料，所述图形制作层上方设置若干圆弧台型立体反射器，所述圆弧台型立体反射器上方设置一焊台电极。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
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公开(公告)号：CN104733487A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510122251.1
申请日：2015-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有立体发光结构的高压发光二极管，由至少两层相互错开键合的子级发光二级管组成，其中一层设置n+1个子级发光二极管为底层，底层各子级发光二极管处于同一平面，另一层设置n个子级发光二极管为顶层，顶层各子级发光二极管处于同一平面，底层与顶层相邻的子级发光二极管设置于两个不同水平面上；各子级发光二级管具有独立发光结构，各子级发光二级管串联连接。本发明将各子级发光二极管串联连接，构成立体的至少双层发光结构，明显地增加单位面积发光的功率，且使得同样电压的高压芯片模块的面积缩小近一倍，有效地降低高压芯片模块的封装成本。
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公开(公告)号：CN104393138A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410551477.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/0075 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本发明可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN108346722B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN108198891B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201810003282.9
申请日：2018-01-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN106816509B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201710224742.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种复合衬底及其制备方法，基于该复合衬底，本申请公开了一种垂直结构发光二极管芯片的制备方法。在本申请提供的复合衬底中，由于夹在第一图形层和第二图形层之间的第一氮化镓层的厚度小于第一突起结构的高度，所以，第一图形层上的第一突起结构和第二图形层上的第二突起结构能够相互连接贯通，而且又由于第二图形层上的各个第二突起结构相互连接在一起，如此，第一图形层和第二图形层能够形成一整体相互连接的可被湿法腐蚀溶液所腐蚀的图形。当湿法腐蚀溶液一旦从复合衬底的侧面开始腐蚀图形层时，其能够较好地渗入蚀刻到每个突起结构，如此方便后续外延衬底的湿法腐蚀剥离。此外，该复合衬底还能够保证后续外延层的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105514241B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610018937.0
申请日：2016-01-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种具有高可靠性透明导电层的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过外延生长，设置一层具有和ITO透明导电层相同的电能和光学性能的高导电外延层，直接通过此高导电外延层形成有效的电流扩展。极大地提高P型电流扩展效果，减小发光二极管的串联电阻，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。由于高导电外延层是直接通过形成，减少芯片工序，有效降低芯片成本。
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