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公开(公告)号：CN1563481A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300－500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300－500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1555073A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－Al2O3衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1545132A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310106426.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道，包括一路金属镓源－HCl－N2管道，并将反应物GaCl－N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
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公开(公告)号：CN1140931C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02112695.X
申请日：2002-02-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以AlN为缓冲层并外延生长GaN，然后在GaN层上生长AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构，x、y值取0.15-0.35，AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别为15-30nm、50-80nm、15-30nm。并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子-空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命；通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层，减少了载流子的表面复合损失，提高了收集效率。
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公开(公告)号：CN1140654C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01108247.X
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。NH4OH溶液浓度控制在5-25%，腐蚀温度在60～85℃之间。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比，而且与常规微电子集成电路工艺兼容，且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1138025C
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN01137373.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法，尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法，在蓝宝石衬底上生长氮化镓，生长系统的生长温度：低温区，850-900℃，高温区在1050-1100℃范围内；将HCl(源HCL)/氮气载气通入含金属镓管路，在通入HCl/氮气载气的同时，氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统；三路气体在蓝宝石衬底表面混合，得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中，引入GaCl和NH3混合生长区，通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡，抑制N面极化GaN的成核，获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN1371133A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN02112695.X
申请日：2002-02-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器,在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料:以AlN为缓冲层并外延生长GaN,然后在GaN层上生长AlxGa1－xN/GaN/AlyGa1－yN应变异质结构,x、y值取0.15－0.35,AlxGa1－xN、GaN、AlyGa1－yN的厚度分别为15－30nm、50－80nm、15－30nm。并在最上层AlyGa1－yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子－空穴对,以降低其直接复合损失,从而提高光生载流子寿命;通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层,减少了载流子的表面复合损失,提高了收集效率。
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公开(公告)号：CN1305232A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN01108248.8
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/105
Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。
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公开(公告)号：CN1036167C
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2-40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作、设备无须大的变动。
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公开(公告)号：CN119836000A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510309182.9
申请日：2025-03-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β‑Ga2O3衬底，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层，κ‑(AlxGa1‑x)2O3层，κ‑Ga2O3层，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层、κ‑Ga2O3层和κ‑(AlxGa1‑x)2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将κ‑(AlxGa1‑x)2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层和耗尽型源极金属层；增强型器件区包括增强型源极金属层、p型异质介质和增强型栅极金属组合层以及增强型漏极金属层；本发明的反相器实现高迁移率、高击穿场强。
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