公开(公告)号：CN1288680C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200310112720.9

申请日：2003-12-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 于英仪 ,  张荣 ,  修向前 ,  谢自力 ,  俞慧强 ,  郑有炓 ,  施毅 ,  沈波 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  叶宇达

IPC: H01F41/22 ,  G11B5/85 ,  C23C16/34

Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道和金属锰源-HCl管道，对金属锰源-HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3-6sccm，Ar气流量为100-300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820-860℃，反应区域温度，即蓝宝石α-Al2O3衬底所在位置的温度；生长时间为8-20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。

公开(公告)号：CN1555073A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200310112720.9

申请日：2003-12-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 于英仪 ,  张荣 ,  修向前 ,  谢自力 ,  俞慧强 ,  郑有炓 ,  施毅 ,  沈波 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  叶宇达

IPC: H01F41/22 ,  G11B5/85 ,  C23C16/34

Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－Al2O3衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。