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公开(公告)号：CN101525742A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910030914.1
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 化学气相淀积材料生长设备的装样、取样和样品转移的方法，在化学气相淀积材料生长设备的反应腔体与外界大气之间设置一个只含单纯氮气或其它保护性气体的转移腔及进、取样和转移样品的相应的机械装置，衬底材料不论进、出反应腔体或在不同反应腔之间的转移时，都要先通过这个转移腔；只含单纯氮气或其它保护性气体的转移腔，转移腔结构是与外界相对封闭，只在转移腔腔口与工作台面的底面之间、底部供支撑杠升降的通孔与支撑杠之间留有间隙，既保证在操作过程中转移腔中的气压大于外界大气压、也保留氮气或其它保护性气体的外泄途径；升降丝杆和平移导轨装置位于转移腔的下方，升降丝杠所驱动的升降平台上安装支撑杠、接口法兰及样品架。
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公开(公告)号：CN1834286A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610039236.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2－6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm－10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。
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公开(公告)号：CN1146639A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN95112707.1
申请日：1995-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/775
Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。
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公开(公告)号：CN1083266A
公开(公告)日：1994-03-02
申请号：CN92109725.5
申请日：1992-08-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2—40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作，设备无须大的变动。
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公开(公告)号：CN101519773A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910030913.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材料生长设备配气装置中气路及元件之间的连接，采用双卡套式管连接，连接管道外形呈U形状；U形的结构还包括各种在U形管上进行延伸角度的管路，U形管的两平行金属管的长度也可有长有短，便于连接应用，亦可在两平行管端部再接出平行的弯管，用以解决两个接头体位置固定后难以实现其间气路管道气密性连接的便捷装卸问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533665C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200-1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9%)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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公开(公告)号：CN101179015A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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公开(公告)号：CN101519773B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910030913.7
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备气路的U形管道连接方法，气路中两个卡套式管接头之间的金属管道均采用U形管道，即通过气路空间走向的管路的设计来实现所有连接处均以U形状管道进行连接；且这两个卡套式管接头的开口方向向相同的平行方向。CVD材料生长设备配气装置中气路及元件之间的连接，采用双卡套式管连接，连接管道外形呈U形状；U形的结构还包括各种在U形管上进行延伸角度的管路，U形管的两平行金属管的长度也可有长有短，便于连接应用，亦可在两平行管端部再接出平行的弯管，用以解决两个接头体位置固定后难以实现其间气路管道气密性连接的便捷装卸问题。
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公开(公告)号：CN101519772A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910030912.2
申请日：2009-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455
Abstract: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体，在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解，这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。
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公开(公告)号：CN100395373C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610039236.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管(1)内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔(3)之间设有耐高温的热解BN套管(2)组。BN套管组为2-6只套管，套管壁间距、套管壁与石英管壁间距是1mm-10mm。利用多层BN套管组作为辐射蔽罩、有效地降低热辐射所致的能量损失。BN材料导热率低，可实现100℃/mm以上的温度梯度，具有良好的保温效果。石英管内维持较高真空，BN套管之间、BN套管与石英管之间为真空，有助于减少热量损失。
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