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发明公开
一种用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法无效

公开(公告)号：CN1146639A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN95112707.1

申请日：1995-09-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 , 郑有斗 , 刘建林 , 张荣 , 顾书林 , 韩平 , 汪峰 , 陆阳 , 朱顺民 , 胡立群 , 王荣华 , 沈波

IPC: H01L29/775

Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。

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