公开(公告)号：CN1140654C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN01108247.X

申请日：2001-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有炓 ,  汪峰 ,  刘建林 ,  陆阳 ,  吴军 ,  张荣 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  韩平 ,  江若琏 ,  朱顺明

IPC: C23F1/24 ,  C23F1/02

Abstract: 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。NH4OH溶液浓度控制在5-25%，腐蚀温度在60～85℃之间。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比，而且与常规微电子集成电路工艺兼容，且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN1363725A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01108247.X

申请日：2001-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有炓 ,  汪峰 ,  刘建林 ,  陆阳 ,  吴军 ,  张荣 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  韩平 ,  江若琏 ,  朱顺明

IPC: C23F1/24 ,  C23F1/02

Abstract: 一种对硅/锗硅化学选择腐蚀方法,采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。本发明所提出采用NH4OH溶液从锗硅上选择腐蚀硅的方法。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比,而且与常规微电子集成电路工艺兼容,且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN1146639A

公开(公告)日：1997-04-02

申请号：CN95112707.1

申请日：1995-09-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有斗 ,  刘建林 ,  张荣 ,  顾书林 ,  韩平 ,  汪峰 ,  陆阳 ,  朱顺民 ,  胡立群 ,  王荣华 ,  沈波

IPC: H01L29/775

Abstract: 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所希望的尺寸，同时获得高质量的Si/SiO2异质界面。