公开(公告)号：CN119836000A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510309182.9

申请日：2025-03-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  杨晔芸 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β‑Ga2O3衬底，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层，κ‑(AlxGa1‑x)2O3层，κ‑Ga2O3层，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层、κ‑Ga2O3层和κ‑(AlxGa1‑x)2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将κ‑(AlxGa1‑x)2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层和耗尽型源极金属层；增强型器件区包括增强型源极金属层、p型异质介质和增强型栅极金属组合层以及增强型漏极金属层；本发明的反相器实现高迁移率、高击穿场强。

公开(公告)号：CN115084224A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210661297.0

申请日：2022-06-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  杨晔芸 ,  巩贺贺 ,  郁鑫鑫 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L29/80 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提出一种垂直结构的NiO/Ga2O3 JFET及其制备方法。该器件结构自下而上依次为漏极金属层、N+型Ga2O3衬底、N‑型Ga2O3漂移层、P型NiO层、栅金属层、Al2O3隔离层、离子注入Si+的高掺杂N+区以及源极金属层。其中，Ga2O3漂移层中刻蚀出鳍型结构，P型NiO层与栅金属层依次位于其两侧。本发明采用Ni/NiO/Ga2O3异质结构形成栅控区域，取代现有的MOS结构器件，易实现增强型，在后续的电路和功率模块应用中有更大的潜力。同时JFET器件为埋沟器件，受界面缺陷影响小，能够提高载流子迁移率与器件响应速度。