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公开(公告)号：CN114447100A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210060232.0
申请日：2022-01-19
IPC: H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/24 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。
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公开(公告)号：CN110616456B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911009760.8
申请日：2019-10-23
Abstract: 一种采用卤化物气相外延生长κ‑Ga2O3薄膜的方法，使用两温区管式炉作为反应设备，高纯金属Ga和混合载气的HCl在第一温区反应区加热下发生反应，生成气态的GaCl和GaCl3，之后在载气的推动下，第一温区反应区反应生成物进入第二温区生长区与混合载气的O2反应，在衬底上生长κ‑Ga2O3薄膜；第一温区反应区采用较高温度使得金属Ga源和气态HCl反应，第一温区使用的温度在800℃至1050℃，而第二温区生长区采用较低温度使第一温区输送过来的生成物与O2反应，第二温区使用的温度在500℃至650℃。本发明方法的生长速度较快，成本低、所需反应物毒性低，可大规模制备κ‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN110444618B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN110444618A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910732617.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 南京大学 , 南京大学深圳研究院 , 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极-半导体层-金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110616456A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201911009760.8
申请日：2019-10-23
Abstract: 一种采用卤化物气相外延生长κ-Ga2O3薄膜的方法，使用两温区管式炉作为反应设备，高纯金属Ga和混合载气的HCl在第一温区反应区加热下发生反应，生成气态的GaCl和GaCl3，之后在载气的推动下，第一温区反应区反应生成物进入第二温区生长区与混合载气的O2反应，在衬底上生长κ-Ga2O3薄膜；第一温区反应区采用较高温度使得金属Ga源和气态HCl反应，第一温区使用的温度在800℃至1050℃，而第二温区生长区采用较低温度使第一温区输送过来的生成物与O2反应，第二温区使用的温度在500℃至650℃。本发明方法的生长速度较快，成本低、所需反应物毒性低，可大规模制备κ-Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN119836000A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510309182.9
申请日：2025-03-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种异相集成的Ga2O3高迁移率反相器及其制备方法。包括从下至上依次设置的半绝缘β‑Ga2O3衬底，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层，κ‑(AlxGa1‑x)2O3层，κ‑Ga2O3层，非故意掺杂β‑Ga2O3漂移层、κ‑Ga2O3层和κ‑(AlxGa1‑x)2O3层的中部设置有隔离沟槽，隔离沟槽将κ‑(AlxGa1‑x)2O3层上表面区域分为耗尽型器件区和增强型器件区；耗尽型器件区包括耗尽型漏极金属层、耗尽型栅极金属层和耗尽型源极金属层；增强型器件区包括增强型源极金属层、p型异质介质和增强型栅极金属组合层以及增强型漏极金属层；本发明的反相器实现高迁移率、高击穿场强。
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公开(公告)号：CN116288245A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310328440.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜制备的装置，包括反应室和气体输入系统，反应室内设有用于掺杂生长的样品托和金刚石衬底，所述样品托呈倾斜状，且所述样品托上设有容纳所述金刚石衬底的凹槽，所述气体输入系统包括第一管路和第二管路，所述第一管路位于所述反应室的顶部，所述第二管路位于所述样品托一侧。所述第二管路可位于所述样品托底部中心，呈圆孔结构；本发明提供的反应室和气体输入系统，能够有效改善磷掺杂金刚石效率低与MPCVD腔室中杂质沾污问题，掺杂效率高，重复性好，质量高，生长速度快，同时样品托倾斜状的设计提升了磷掺杂金刚石薄膜的均匀性，对金刚石的n型掺杂具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115084224A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210661297.0
申请日：2022-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/80 , H01L21/34
Abstract: 本发明提出一种垂直结构的NiO/Ga2O3 JFET及其制备方法。该器件结构自下而上依次为漏极金属层、N+型Ga2O3衬底、N‑型Ga2O3漂移层、P型NiO层、栅金属层、Al2O3隔离层、离子注入Si+的高掺杂N+区以及源极金属层。其中，Ga2O3漂移层中刻蚀出鳍型结构，P型NiO层与栅金属层依次位于其两侧。本发明采用Ni/NiO/Ga2O3异质结构形成栅控区域，取代现有的MOS结构器件，易实现增强型，在后续的电路和功率模块应用中有更大的潜力。同时JFET器件为埋沟器件，受界面缺陷影响小，能够提高载流子迁移率与器件响应速度。
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公开(公告)号：CN114744028A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210368423.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/34 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有倾斜角度的氧化镍台面，台面倾斜角度与入射角度正相关。相比于光刻制备氧化镍图案的方法，采用硬掩模制备氧化镍图案工艺简单，成本低，而且可以自由控制氧化镍斜台面倾斜角度的大小，同时斜台面的设计增加了器件的击穿电压，对高耐压、大电流氧化镓功率器件的大规模应用具有重要意义。
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