公开(公告)号：CN114744028A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210368423.3

申请日：2022-04-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  巩贺贺 ,  任芳芳 ,  朱顺明 ,  吕元杰 ,  冯志红 ,  顾书林 ,  张荣

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/34 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有倾斜角度的氧化镍台面，台面倾斜角度与入射角度正相关。相比于光刻制备氧化镍图案的方法，采用硬掩模制备氧化镍图案工艺简单，成本低，而且可以自由控制氧化镍斜台面倾斜角度的大小，同时斜台面的设计增加了器件的击穿电压，对高耐压、大电流氧化镓功率器件的大规模应用具有重要意义。