公开(公告)号：CN1140931C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN02112695.X

申请日：2002-02-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  郑有炓 ,  沈波 ,  张荣 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  赵作明 ,  陈鹏

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  G01J1/02

Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以AlN为缓冲层并外延生长GaN，然后在GaN层上生长AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构，x、y值取0.15-0.35，AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别为15-30nm、50-80nm、15-30nm。并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子-空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命；通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层，减少了载流子的表面复合损失，提高了收集效率。

公开(公告)号：CN1371133A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN02112695.X

申请日：2002-02-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 江若琏 ,  郑有炓 ,  沈波 ,  张荣 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  赵作明 ,  陈鹏

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  G01J1/02

Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器,在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料:以AlN为缓冲层并外延生长GaN,然后在GaN层上生长AlxGa1－xN/GaN/AlyGa1－yN应变异质结构,x、y值取0.15－0.35,AlxGa1－xN、GaN、AlyGa1－yN的厚度分别为15－30nm、50－80nm、15－30nm。并在最上层AlyGa1－yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子－空穴对,以降低其直接复合损失,从而提高光生载流子寿命;通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层,减少了载流子的表面复合损失,提高了收集效率。