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公开(公告)号：CN103184430A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210580129.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C14/00 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45529 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/30 , H01L21/76224
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法用于在形成有凹部的基板上形成膜，该膜由容易吸附于羟基的第1反应气体和能同该第1反应气体发生反应的第2反应气体这两者的反应生成物构成，该成膜方法包括：控制步骤，对羟基在上述基板的上述凹部的深度方向上的吸附分布进行控制；第1反应气体供给步骤，向吸附有上述羟基的上述基板上供给上述第1反应气体；第2反应气体供给步骤，向吸附有上述第1反应气体的上述基板上供给上述第2反应气体。
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公开(公告)号：CN101660142B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910169420.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45551
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：设置在真空容器内，具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台；用于供给第1反应气体的第1反应气体供给部件；用于供给第2反应气体的第2反应气体供给部件；用于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛气体而沿着周向位于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域；供给扩散到上述分离区域的两侧的分离气体的分离气体供给部件；对供给到上述分离气体供给部件的分离气体进行加热的加热部；用于排出上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体的排气口；上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体被供给到上述旋转台时，使上述旋转台旋转的驱动部。
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公开(公告)号：CN101220505B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710152462.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。
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公开(公告)号：CN102443782A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110306629.5
申请日：2011-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45551
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。在真空气氛中反复进行多次将多种反应气体按顺序供给到基板上的循环，形成薄膜的成膜装置包括：载置台，设在真空容器内，具有用于载置基板的基板载置区域；多个反应气体供给部，沿真空容器的周向彼此分开地设置，将多种反应气体分别供给到载置在基板载置区域内的基板上；分离区域，设在各处理区域之间，将处理区域彼此的气氛分离；分离气体供给部，设在该分离区域内，向基板载置区域中的真空容器的中央侧和周缘侧分别供给分离气体且周缘侧的分离气体供给量比中央侧多；顶面，在分离区域内在其与载置台之间形成狭窄的空间，使分离气体遍布中央侧与周缘侧之间地从该分离区域流向处理区域侧；真空排气机构；旋转机构。
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公开(公告)号：CN102383109A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110249999.X
申请日：2011-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/50
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/402 , C23C16/45536
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的强度进行变更。具体而言，在反应生成物的层叠膜厚较薄时(开始成膜-改性处理的初期)，使等离子体的强度较小，并且反应生成物的层叠膜厚越增加(成膜步骤的次数越增加)，越使向晶圆(W)供给的等离子体的强度逐步增大。或者，在反应生成物的膜厚较薄时，使等离子体的强度增加，然后减弱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102134709A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010621810.0
申请日：2010-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使载置有多个晶圆的旋转台旋转，晶圆依次与供给到第1和第2处理区域中的第1和第2反应气体接触，在晶圆的表面形成薄膜，设有进行使第1反应气体吸附于晶圆表面的处理的第1处理区域、及面积大于该第1处理区域的面积的、进行使第2反应气体与吸附在晶圆表面的第1反应气体发生化学反应的处理的第2处理区域，与吸附相比，能够将化学反应的处理时间确保得较长，即使提高旋转台的转速，也能够充分地进行与金属吸附相比需要更长时间的化学反应而进行良好的成膜处理。
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公开(公告)号：CN102108496A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010621816.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/14 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/28556 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层而形成平滑的表面。
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公开(公告)号：CN101748387A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910204579.2
申请日：2009-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45551 , C23C16/402 , C23C16/4412 , C23C16/45578
Abstract: 本发明提供一种包括能够旋转地设置在真空容器内的旋转台的成膜装置。第1和第2反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第1和第2反应气体。从分离气体供给部向被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间的分离区域喷出第1分离气体。加热器设置在旋转台的下方侧，利用辐射热加热旋转台。在真空容器的底部以围着设置有加热器的区域中的旋转台的径向外侧的方式设置外侧壁构件。在沿旋转台的旋转方向彼此相邻的分离区域之间设置有从外侧壁构件延伸而在该空间形成构件与旋转台之间形成狭窄的空间的空间形成构件。吹扫气体供给部用于供给经由狭窄的空间而从旋转台的下方侧向旋转台的径向外侧的区域流动的吹扫气体。
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公开(公告)号：CN101665926A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910172125.1
申请日：2009-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/52 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种将多种反应气体依次向基板供给的成膜装置，在真空容器内供给第1及第2反应气体来形成薄膜，其具有：旋转台；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，其分别在以旋转中心为圆心的第1角度位置和第2角度位置沿径向延伸；第1分离气体供给部，其设置在第1角度位置和第2角度位置之间的第3角度位置；第1空间，其在包含第1角度位置的区域具有第1高度；第2空间，其在包含第2角度位置的区域具有第2高度；第3空间，其在包含第3角度位置的区域具有低于第1高度和第2高度的高度；加热装置，其加热第1分离气体。
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公开(公告)号：CN101660142A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910169420.1
申请日：2009-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/45551
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：设置在真空容器内，具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台；用于供给第1反应气体的第1反应气体供给部件；用于供给第2反应气体的第2反应气体供给部件；用于分离第1处理区域和第2处理区域的气氛气体而沿着周向位于第1处理区域和第2处理区域之间的分离区域；供给扩散到上述分离区域的两侧的分离气体的分离气体供给部件；对供给到上述分离气体供给部件的分离气体进行加热的加热部；用于排出上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体的排气口；上述第1反应气体、上述第2反应气体和上述分离气体被供给到上述旋转台时，使上述旋转台旋转的驱动部。
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