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公开(公告)号：CN119270577A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310782614.9
申请日：2023-06-28
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
Abstract: 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种抗反射膜层结构及其形成方法，该反射膜层结构包括堆叠分布的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的折射率和/或消光系数不同；所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的厚度之比为1:10～10:1。该形成方法可提高显影区的轮廓的均匀性。
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公开(公告)号：CN109254496A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810770791.4
申请日：2018-07-13
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种光掩模坯料，可得到高精度的掩模图案，且能够抑制显示不均的光学特性，具有：透明基板；遮光膜，从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为25～75原子％、氧的含有率为15～45原子％、氮的含有率为10～30原子％的组成，遮光层为含有铬和氮的铬系材料，具有铬的含有率为70～95原子％，氮的含有率为5～30原子％的组成，第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为30～75原子％、氧的含有率为20～50原子％、氮的含有率为5～20原子％的组成，遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10％以下，光学密度为3.0以上。
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公开(公告)号：CN105301890B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510415157.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 二元光掩模坯料在透明衬底上具有遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或M、Si和N组成，并且具有3.0以上的光密度。所述遮光膜包括含M、Si和N的层，从而满足式B≤0.68×A+0.23，其中A是原子比M/Si且B是原子比N/Si，并且所述遮光膜具有47nm以下的厚度。所述二元光掩模坯料具有能够完全遮蔽曝光的光的薄遮光膜。
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公开(公告)号：CN106604828A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580045401.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: B41M5/502 , B29D11/0073 , B44C1/165 , G02B1/111 , G02B5/0841 , G02B1/11 , G02F1/3618 , G02F2202/027 , G03F1/46
Abstract: 本发明公开了转印膜、由所述转印膜制成的制品、以及制备和使用转印膜以形成无机光学叠堆的逐层方法。
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公开(公告)号：CN106084159A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610183382.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明是关于一种聚合物、有机层组合物以及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的第一部分和包含经取代或未经取代的C6至C60环基、经取代或未经取代的C6至C60杂环基或其组合的第二部分。本发明的聚合物具有良好的溶解度特征以及极好的耐蚀刻性。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443161B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280015041.7
申请日：2012-03-27
Applicant: 默克专利有限公司
IPC: C08G61/02 , C09D165/00 , G03F7/09 , H01L21/027 , G03F1/46
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G61/02 , C08G2261/3424 , C09D165/00 , G03F7/091 , H01L21/0276
Abstract: 本发明涉及抗反射涂层组合物，包含交联剂和能够通过该交联剂交联的可交联的聚合物，其中该可交联的聚合物包含结构(1)表示的单元，其中A是稠合芳环，B具有结构(2)，以及C是结构(3)的羟基联苯，(2)和(3)，其中R1是C1-C4烷基且R2是C1-C4烷基。本发明还涉及使用该组合物形成图像的方法。
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公开(公告)号：CN103048874B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210407024.X
申请日：2012-10-17
Applicant: S&S技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。
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公开(公告)号：CN102654730B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210160739.X
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/58 , Y10T428/24917 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。
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公开(公告)号：CN102621802B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN102692815B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210162265.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种光掩模及其制造方法，光掩模的制造方法包括：形成不透光图案层于基板上；形成覆盖于所述不透光图案层及所述基板上的保护层；以及形成覆盖在所述保护层上的减反射层，且所述保护层的折射率是大于所述减反射层的折射率。本发明可改善现有光掩模的基板反射问题。
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