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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109254496A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810770791.4
申请日：2018-07-13
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种光掩模坯料，可得到高精度的掩模图案，且能够抑制显示不均的光学特性，具有：透明基板；遮光膜，从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为25～75原子％、氧的含有率为15～45原子％、氮的含有率为10～30原子％的组成，遮光层为含有铬和氮的铬系材料，具有铬的含有率为70～95原子％，氮的含有率为5～30原子％的组成，第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为30～75原子％、氧的含有率为20～50原子％、氮的含有率为5～20原子％的组成，遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10％以下，光学密度为3.0以上。
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公开(公告)号：CN109960105B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811515759.8
申请日：2018-12-12
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其满足如下的光学特性，即，在通过蚀刻制作光掩模时可得到高精度的掩模图案，并且，在使用光掩模制作显示装置时能够抑制显示不均匀。光掩模坯料在制作显示装置制造用光掩模时被使用，具有：透明基板，由对于曝光光实质上透明的材料构成；遮光膜，设置于透明基板上，由对于曝光光实质上不透明的材料构成，遮光膜从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，在将光掩模坯料的两面中的遮光膜侧的面作为表面、将透明基板侧的面作为背面时，在曝光波长为365nm～436nm的范围内，对于曝光光的表面反射率及背面反射率分别为10％以下，并且所述波长范围内的所述背面反射率的波长依赖性为5％以下。
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公开(公告)号：CN107861333A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710794878.0
申请日：2017-09-06
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供能够使掩模图案截面形状的垂直化的光掩模坯料及其制造方法。本发明还提供使用其的光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。本发明的光掩模坯料具有透明基板(1)、遮光层(2)和减反射层(3)，遮光层(2)由含有铬和氮的铬化合物形成，减反射层(3)由含有铬、氮和氧的铬化合物形成，减反射层(3)中含有的铬的含量少于遮光层(2)中含有的铬的含量，减反射层(3)是叠层了多层的叠层膜，减反射层(3)的表面侧的上层部(32)所含有的氧含量多于减反射层(3)的遮光层侧的下层部(31)所含有的氧含量，在上层部(32)的表面侧具有实质上不含碳的区域，在该区域，氧朝向最表面连续地增加，且氧相对于氮的比例(O/N)的最大值为5以上。
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公开(公告)号：CN109254496B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810770791.4
申请日：2018-07-13
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种光掩模坯料，可得到高精度的掩模图案，且能够抑制显示不均的光学特性，具有：透明基板；遮光膜，从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为25～75原子％、氧的含有率为15～45原子％、氮的含有率为10～30原子％的组成，遮光层为含有铬和氮的铬系材料，具有铬的含有率为70～95原子％，氮的含有率为5～30原子％的组成，第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为30～75原子％、氧的含有率为20～50原子％、氮的含有率为5～20原子％的组成，遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10％以下，光学密度为3.0以上。
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公开(公告)号：CN109960105A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811515759.8
申请日：2018-12-12
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其满足如下的光学特性，即，在通过蚀刻制作光掩模时可得到高精度的掩模图案，并且，在使用光掩模制作显示装置时能够抑制显示不均匀。光掩模坯料在制作显示装置制造用光掩模时被使用，具有：透明基板，由对于曝光光实质上透明的材料构成；遮光膜，设置于透明基板上，由对于曝光光实质上不透明的材料构成，遮光膜从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，在将光掩模坯料的两面中的遮光膜侧的面作为表面、将透明基板侧的面作为背面时，在曝光波长为365nm～436nm的范围内，对于曝光光的表面反射率及背面反射率分别为10％以下，并且所述波长范围内的所述背面反射率的波长依赖性为5％以下。
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