光掩模坯料及光掩模的制造方法、显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109960105B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN201811515759.8

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料,其满足如下的光学特性,即,在通过蚀刻制作光掩模时可得到高精度的掩模图案,并且,在使用光掩模制作显示装置时能够抑制显示不均匀。光掩模坯料在制作显示装置制造用光掩模时被使用,具有:透明基板,由对于曝光光实质上透明的材料构成;遮光膜,设置于透明基板上,由对于曝光光实质上不透明的材料构成,遮光膜从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,在将光掩模坯料的两面中的遮光膜侧的面作为表面、将透明基板侧的面作为背面时,在曝光波长为365nm~436nm的范围内,对于曝光光的表面反射率及背面反射率分别为10%以下,并且所述波长范围内的所述背面反射率的波长依赖性为5%以下。

    光掩模坯料及其制造方法、光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109254496A

    公开(公告)日:2019-01-22

    申请号:CN201810770791.4

    申请日:2018-07-13

    Abstract: 一种光掩模坯料,可得到高精度的掩模图案,且能够抑制显示不均的光学特性,具有:透明基板;遮光膜,从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为25~75原子%、氧的含有率为15~45原子%、氮的含有率为10~30原子%的组成,遮光层为含有铬和氮的铬系材料,具有铬的含有率为70~95原子%,氮的含有率为5~30原子%的组成,第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为30~75原子%、氧的含有率为20~50原子%、氮的含有率为5~20原子%的组成,遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10%以下,光学密度为3.0以上。

    光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106019817A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610173066.X

    申请日:2016-03-24

    Abstract: 本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法,上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模,上述光掩模的制造方法具有上述特性,上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层,遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成,该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外,上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且,上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。

    光掩模坯料及其制造方法、光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109254496B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201810770791.4

    申请日:2018-07-13

    Abstract: 一种光掩模坯料,可得到高精度的掩模图案,且能够抑制显示不均的光学特性,具有:透明基板;遮光膜,从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为25~75原子%、氧的含有率为15~45原子%、氮的含有率为10~30原子%的组成,遮光层为含有铬和氮的铬系材料,具有铬的含有率为70~95原子%,氮的含有率为5~30原子%的组成,第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为30~75原子%、氧的含有率为20~50原子%、氮的含有率为5~20原子%的组成,遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10%以下,光学密度为3.0以上。

    光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106019817B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201610173066.X

    申请日:2016-03-24

    Abstract: 本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法,上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模,上述光掩模的制造方法具有上述特性,上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层,遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成,该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外,上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且,上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。

    光掩模坯料及光掩模的制造方法、显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN109960105A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201811515759.8

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料,其满足如下的光学特性,即,在通过蚀刻制作光掩模时可得到高精度的掩模图案,并且,在使用光掩模制作显示装置时能够抑制显示不均匀。光掩模坯料在制作显示装置制造用光掩模时被使用,具有:透明基板,由对于曝光光实质上透明的材料构成;遮光膜,设置于透明基板上,由对于曝光光实质上不透明的材料构成,遮光膜从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,在将光掩模坯料的两面中的遮光膜侧的面作为表面、将透明基板侧的面作为背面时,在曝光波长为365nm~436nm的范围内,对于曝光光的表面反射率及背面反射率分别为10%以下,并且所述波长范围内的所述背面反射率的波长依赖性为5%以下。

    光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法

    公开(公告)号:CN104656370A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201410675995.1

    申请日:2014-11-21

    CPC classification number: G03F1/56 G03F1/26 G03F7/0035

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种光掩模的制造方法、光掩模和图案转印方法,对于光掩模而言,即便是CD低于3μm的细微图案,也可以在被转印体上稳定地形成,此外,充分抑制了其面内的CD偏差。本发明涉及一种光掩模的制造方法,其为具有包含光学膜图案的转印用图案的光掩模的制造方法,该光学膜图案是含有Cr的光学膜在透明基板上进行图案化而成的,该光掩模的制造方法具有以下工序:准备在上述透明基板上具有上述光学膜的光掩模中间体的工序;对上述光学膜照射真空紫外线而将上述光学膜的膜质改质的改质工序;在上述改质后的光学膜上涂布光致抗蚀膜的工序;对上述光致抗蚀膜进行描绘和显影而形成抗蚀图案的工序;使用上述抗蚀图案对上述光学膜进行湿式蚀刻而形成上述光学膜图案的蚀刻工序;和除去上述抗蚀图案的工序。

    相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、以及图案转印方法

    公开(公告)号:CN108663896B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN201810230353.9

    申请日:2018-03-20

    Inventor: 坪井诚治

    Abstract: 本发明提供一种能够制造相移掩模的相移掩模坯料,所述相移掩模能够精度良好地转印高精细的相移膜图案。本发明的相移膜至少具有下层和上层,所述下层具有调整对于从透明基板侧入射的光的反射率的功能,所述上层配置于下层的上侧,具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能,相移膜的对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性,相移膜对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率大于20%,且对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率的变动幅度为10%以下。

    相移掩模半成品、相移掩模制造方法及显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN106353963B

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN201610520850.3

    申请日:2016-07-05

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩模的形成的相移掩模半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有:相移层;反射率降低层;金属层,其设置在相移层与反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数;相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性,并且相移膜的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。

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