公开(公告)号：CN113515006A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110380334.6

申请日：2021-04-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  三村祥平 ,  山本拓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模。反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜；吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层；第一层由钽和氮组成，并且含有55至70at％的钽和30至45at％的氮；第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成。

公开(公告)号：CN106483757B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201610786641.3

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎

IPC: G03F1/26

Abstract: 提供半色调相移光掩模坯，其包括透明基材和其上的具有150‑200°的相移和9‑40％的透射率的半色调相移膜。该半色调相移膜由过渡金属、Si、O和N组成，具有至少3at％的平均过渡金属含量，并且由多个层组成，该多个层包括具有至少3at％的氧含量的应力松弛层和至少5at％的较高氧含量的相移调节层。

公开(公告)号：CN106019810B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201610195663.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/32

Abstract: 本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30‑70at％的Si含量、30‑60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。

公开(公告)号：CN106019809B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610195910.9

申请日：2016-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/29 ,  G03F1/32 ,  G03F1/56 ,  G03F1/80 ,  G03F1/60 ,  G03F1/00

Abstract: 在包括透明基底和其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯中，该半色调相移膜由硅基材料组成，该硅基材料由硅、氮和0‑6at％的氧构成，该半色调相移膜具有至少2.4的折射率n、0.4‑0.7的消光系数k为和40‑67nm的厚度。该半色调相移膜足够薄从而对光掩模图案形成有利，并且具有对化学清洁的耐化学品性，并保持对于相移功能所需的相移和对于半色调功能所需的透射率。

公开(公告)号：CN106997145A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710052066.9

申请日：2017-01-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/32

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及半色调相移光掩模坯和制造方法。使用硅靶、惰性气体和含氮反应性气体通过反应性溅射在透明基板上形成半色调相移膜。通过扫描该反应性气体的流量并且相对于该反应性气体的流量绘制该扫描过程中的溅射电压或电流，从而绘出滞后曲线。在与大于显示该滞后的反应性气体流量的下限到小于上限的范围对应的区域中溅射的过渡模式溅射步骤中，使施加于靶的电力、惰性气体流量和/或反应性气体流量连续地或阶段地增大或减小。

公开(公告)号：CN106019811A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610195884.X

申请日：2016-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/82

Abstract: 本发明为制备半色调相移光掩模坯的方法，其中，含Si和N和/或O的半色调相移膜通过反应性溅射使用含硅的靶和反应性气体沉积在透明基底上。横跨多个靶施加不同的功率，从而将与迟滞曲线相关的选自金属模式、过渡模式和反应模式中的两种不同的溅射模式应用于靶。该相移膜表现令人满意的光学性质的面内均匀性。

公开(公告)号：CN105518529A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049627.4

申请日：2014-07-24

Applicant: 信越聚合物株式会社 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 铃木勤 ,  大堀伸一 ,  小板桥龙二 ,  中川秀夫 ,  高坂卓郎 ,  木下隆裕 ,  福田洋

IPC: G03F1/66 ,  H01L21/673

CPC classification number: G03F1/66 ,  H01L21/67359 ,  H01L21/67393

Abstract: 本发明抑制对光阻图案产生的影响并且更确实地降低因在保管、搬送或容器操作的过程中所有可能产生的尘埃或粒子的附着引起的光罩基底的污染，提高光罩基底的质量及良率。本发明涉及一种光罩基底衬底收纳容器(1)，其收纳、搬送或保管光罩基底衬底(2)，且其构成零件中的至少1个包含以40℃保持60分钟下通过动态顶空法测定的己内酰胺量以正癸烷换算计每树脂单位重量成为0.01ppm以下的热塑性树脂，并且该构成零件的表面电阻值为1.0E+13欧姆以下。

公开(公告)号：CN119493327A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411118546.7

申请日：2024-08-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  生越大河 ,  樱井敬佑 ,  三村祥平 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

Abstract: 能够由能够通过使用含有氧(O)的气体的干法蚀刻图案化的吸收膜通过反射型掩模坯料形成细微且良好的吸收膜的图案，该反射型掩模坯料包括基板、在基板的一个主表面上形成的反射曝光光的多层反射膜、在多层反射膜上形成的吸收曝光光的吸收膜、和在吸收膜上的含有铌(Nb)的蚀刻掩模膜。

公开(公告)号：CN118778342A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410393516.0

申请日：2024-04-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  生越大河 ,  三村祥平

IPC: G03F1/24

Abstract: 在包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收体膜和硬掩模膜的反射掩模坯中，保护膜由含有钌(Ru)的材料组成，吸收体膜由第一层和第二层或第一层、第二层和第三层组成，第一层具有含有钽(Ta)且不含氮(N)的组成，第二层具有含有钽(Ta)和氮(N)的组成，第三层具有含有钽(Ta)、氮(N)和氧(O)的组成，和硬掩模膜由含有铬(Cr)的材料组成。

公开(公告)号：CN118226700A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311758324.7

申请日：2023-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 生越大河 ,  高坂卓郎 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/24

Abstract: 一种反射掩模坯料，其包含基板、形成在所述基板的一个主表面上并且反射曝光用光的多层反射膜、以及形成在所述多层反射膜上且包含钌(Ru)和铌(Nb)的保护膜，所述保护膜包括在厚度方向上与靠近所述多层反射膜的一侧和最远离所述多层反射膜的一侧两者的钌(Ru)含量相比钌(Ru)含量低的部分。