公开(公告)号：CN115775768B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310104747.0

申请日：2023-02-13

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 汪逸航 ,  匡定东 ,  闫冬 ,  韦钧 ,  康佳 ,  李伟

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/30

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：将目标结构置于反应腔中，向反应腔中通入第一反应气体和第二反应气体；将反应腔内的工艺条件调节为第一工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在目标结构上形成低介电材料层；将第一工艺条件调节为第二工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在低介电材料层上形成保护层。本公开在制作过程中无需转移目标结构，在同一反应腔中形成低介电材料层和保护层，不仅节省了一个沉积腔室，还减少了沉积步骤，提高了制程效率、减少了制程时间，降低了生产成本；保护层能够保护低介电材料层的顶面轮廓，避免刻蚀过程中在低介电材料层的顶面形成“尖角”轮廓。

公开(公告)号：CN115775768A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202310104747.0

申请日：2023-02-13

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 汪逸航 ,  匡定东 ,  闫冬 ,  韦钧 ,  康佳 ,  李伟

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/30

Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：将目标结构置于反应腔中，向反应腔中通入第一反应气体和第二反应气体；将反应腔内的工艺条件调节为第一工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在目标结构上形成低介电材料层；将第一工艺条件调节为第二工艺条件，第一反应气体和第二反应气体在低介电材料层上形成保护层。本公开在制作过程中无需转移目标结构，在同一反应腔中形成低介电材料层和保护层，不仅节省了一个沉积腔室，还减少了沉积步骤，提高了制程效率、减少了制程时间，降低了生产成本；保护层能够保护低介电材料层的顶面轮廓，避免刻蚀过程中在低介电材料层的顶面形成“尖角”轮廓。

公开(公告)号：CN115172158A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210818531.6

申请日：2022-07-12

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 廉婷 ,  刘宇恒 ,  符云飞 ,  匡定东

IPC: H01L21/308

Abstract: 本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；在基底上形成半导体层初始掩膜层；对半导体层进行P型掺杂，以将半导体层转换为初始掩膜层；对初始掩膜层进行第一图形化处理，以形成具有开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜，并采用刻蚀工艺对基底进行第二图形化处理，刻蚀工艺对基底的刻蚀速率大于对掩膜层的刻蚀速率。本公开实施例至少有利于提高对初始掩膜层和基底的图形化处理精度。

公开(公告)号：CN119270577A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310782614.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 付伟佳 ,  吴强 ,  张曼玲 ,  匡定东 ,  陈诚 ,  廉婷

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/38

Abstract: 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种抗反射膜层结构及其形成方法，该反射膜层结构包括堆叠分布的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的折射率和/或消光系数不同；所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的厚度之比为1:10～10:1。该形成方法可提高显影区的轮廓的均匀性。

公开(公告)号：CN116471830A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210022553.1

申请日：2022-01-10

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 王梓杰 ,  夏欢 ,  闫冬 ,  匡定东 ,  韦钧

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：在基底的表面形成第一牺牲层；基底固定在一卡盘上；第一牺牲层包括多个第一刻蚀孔，且每一第一刻蚀孔暴露出基底的表面；将第一牺牲层从初始态倾斜预设角度，形成倾斜后的第一牺牲层；通过卡盘带动倾斜后的第一牺牲层持续旋转；在持续旋转的倾斜后的第一牺牲层的表面形成第一初始支撑层。本公开实施例中，由于形成的第一初始支撑层只位于第一刻蚀孔的顶部，而不位于第一刻蚀孔的内壁中，如此，在后续通过刻蚀第一初始支撑层形成孔洞结构时，不会破坏第一刻蚀孔的形貌，进而也就不会破坏最终形成的孔洞结构的形貌。

公开(公告)号：CN115084143A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210647184.5

申请日：2022-06-09

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 匡定东 ,  刘宇恒 ,  王梓杰

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有彼此间隔的多个电容接触区、以及相邻所述电容接触区之间的非接触区；牺牲层，位于所述非接触区内，所述牺牲层的掺杂浓度沿远离所述衬底的方向线性减小，以使所述牺牲层的刻蚀速率沿远离所述衬底的方向线性降低；支撑层，位于所述牺牲层上；多个接触孔，位于对应的电容接触区内，且贯穿所述牺牲层和所述支撑层。本发明可以改善接触孔的均匀性。