公开(公告)号：CN117276052A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210675950.9

申请日：2022-06-15

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 付伟佳 ,  刘宇恒

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  G03F1/46

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中转移后的图案粗糙度较高的问题。半导体结构包括衬底，衬底上设置有第一掩膜层，第一掩膜层的顶表面覆盖有光阻层，第一掩膜层和光阻层之间设置有复合抗反射层，复合抗反射层包括第一层和第二层，第二层位于第一层远离第一掩膜层的一侧，第二层的消光系数大于第一层的消光系数。对比于相关技术中消光系数较低的介电抗反射层，本申请实施例通过设置具有较高消光系数的第二层，可以提高复合抗反射层对反射光的吸收能力，提高光刻精度，降低转移后的图案的粗糙度。

公开(公告)号：CN117344287A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202210745092.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 查天庸 ,  赵水平 ,  付伟佳 ,  简良翰 ,  晏陶燕 ,  李华胜 ,  杨弘 ,  叶李欣 ,  张曼玲 ,  李洋 ,  李伟 ,  唐林

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34

Abstract: 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种薄膜的形成方法及形成装置。本公开的形成方法包括：提供反应腔室，反应腔室内设有承载台，承载台上设有半导体结构；向反应腔室内通入前驱体；在第一预设温度下向反应腔室通入第一气体，第一气体与前驱体反应生成中间体和第二气体；除去第二气体；在第二预设温度下向反应腔室通入第三气体，第三气体与中间体反应生成第四气体以及附着于半导体结构表面的目标薄膜。本公开的形成方法可避免阻塞管道，提高机台的产出速率，提高产量。

公开(公告)号：CN119270577A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310782614.9

申请日：2023-06-28

Applicant: 长鑫存储技术有限公司

Inventor： 付伟佳 ,  吴强 ,  张曼玲 ,  匡定东 ,  陈诚 ,  廉婷

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/38

Abstract: 本公开是关于半导体技术领域，涉及一种抗反射膜层结构及其形成方法，该反射膜层结构包括堆叠分布的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；其中，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的折射率和/或消光系数不同；所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的厚度之比为1:10～10:1。该形成方法可提高显影区的轮廓的均匀性。