公开(公告)号：CN106604828A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580045401.1

申请日：2015-08-26

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 丹尼尔·J·施密特 ,  马克·J·佩莱里蒂 ,  马丁·B·沃克 ,  斯蒂芬·A·约翰逊

IPC: B41M5/50 ,  B44C1/165 ,  G02B1/11 ,  G02F1/361 ,  G03F1/46

CPC classification number: B41M5/502 ,  B29D11/0073 ,  B44C1/165 ,  G02B1/111 ,  G02B5/0841 ,  G02B1/11 ,  G02F1/3618 ,  G02F2202/027 ,  G03F1/46

Abstract: 本发明公开了转印膜、由所述转印膜制成的制品、以及制备和使用转印膜以形成无机光学叠堆的逐层方法。

公开(公告)号：CN105448999A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510872131.3

申请日：2015-12-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 萧翔允 ,  陈佳楷 ,  林世亮 ,  许庭毓 ,  王培筠 ,  黄雅琴 ,  江丞伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: G02F1/3618 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78672 ,  H01L21/324 ,  H01L29/6675

Abstract: 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。