公开(公告)号：CN103576441B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310319871.5

申请日：2013-07-26

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  李东镐 ,  朴渊洙 ,  徐成旼 ,  金荣善

IPC: G03F1/26

Abstract: 为了制造大面积平板显示器（FPD），使用包含至少两个膜的多层型的层或连续层来形成相移层，该膜含有金属和轻元素，例如氮（N）、氧（O）和碳（C）。该多层型的层或连续层是通过在透明衬底上堆叠具有不同组成和不同蚀刻速率的至少两个膜来形成。因此，该相移层的厚度可以减小，并且边缘部分的截面的斜坡可以在该相移层的图案化过程中陡峭地形成，使得相移层图案之间的边界可以是清晰的。结果是，可以确保该相移层的均匀性，因此可以制造出具有更精细图案的大面积FPD产品。

公开(公告)号：CN103048874A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210407024.X

申请日：2012-10-17

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  姜亘远 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  权顺基

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/36

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。

公开(公告)号：CN103576441A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310319871.5

申请日：2013-07-26

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  李东镐 ,  朴渊洙 ,  徐成旼 ,  金荣善

IPC: G03F1/26

Abstract: 为了制造大面积平板显示器（FPD），使用包含至少两个膜的多层型的层或连续层来形成相移层，该膜含有金属和轻元素，例如氮（N）、氧（O）和碳（C）。该多层型的层或连续层是通过在透明衬底上堆叠具有不同组成和不同蚀刻速率的至少两个膜来形成。因此，该相移层的厚度可以减小，并且边缘部分的截面的斜坡可以在该相移层的图案化过程中陡峭地形成，使得相移层图案之间的边界可以是清晰的。结果是，可以确保该相移层的均匀性，因此可以制造出具有更精细图案的大面积FPD产品。

公开(公告)号：CN103048874B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210407024.X

申请日：2012-10-17

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  姜亘远 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  权顺基

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/36

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。