公开(公告)号：CN103048874A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210407024.X

申请日：2012-10-17

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  姜亘远 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  权顺基

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/36

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。

公开(公告)号：CN103048874B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210407024.X

申请日：2012-10-17

Applicant: S&S技术股份有限公司

Inventor： 南基守 ,  姜亘远 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  权顺基

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/36

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。