公开(公告)号：CN103311243B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310007113.X

申请日：2013-01-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄敬源 ,  许竣为 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  陈柏智

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

公开(公告)号：CN102254802B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110217031.9

申请日：2008-06-20

申请人： 科里公司

发明人： 亚利山大·苏沃洛夫 ,  斯科特·T·夏普德

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452

摘要： 公开了一种用于形成高电子迁移率晶体管的方法。该方法包括下面的步骤：利用当被注入时在III族氮化物层和接点金属之间产生改善的欧姆接触的离子，在限定位置处对所述III族氮化物层进行注入；在如下温度下进行注入：该温度高于室温，并足够热以降低对所述III族氮化物层产生的损伤量，但是低于将发生引起栅极处的泄漏或外延层解离的表面问题的温度。向所述III族氮化物层上进行注入的所述限定位置添加从由钛、铝、镍及其合金构成的组中选择出的欧姆接点。

公开(公告)号：CN104377201B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410394664.0

申请日：2014-08-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 菲利普·雷诺

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了互补氮化镓集成电路及其制作方法。互补GaN集成电路(110，1110)的实施例包括具有第一带隙的GaN层(130，230，730)。具有第二带隙的第二层(140，440，1040)形成于所述GaN层上，从而在所述GaN层和所述第二层之间的接触区域中导致了2DEG(122，222，322，722)。所述第二层具有相对薄的部分和相对厚的部分。第三层(150，550，1050)形成于所述第二层的相对厚的部分上。所述第三层具有不同于所述第二带隙的第三带隙，从而在所述第二层和所述第三层之间的接触区域导致了2DHG(112，512，812，1012)。第一导电类型的晶体管(110，610，1110)包括所述2DHG、所述第二层的所述相对厚的部分和所述第三层，并且第二导电类型的晶体管(120，620，1120)包括所述2DEG和所述第二层的所述相对薄的部分。

公开(公告)号：CN103928582B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201310366032.9

申请日：2013-08-21

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 敦俊儒 ,  林诣超 ,  江振福 ,  郭政煌

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成掺杂区，使半导体在基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件。

公开(公告)号：CN102468164B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201010532050.6

申请日：2010-10-29

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少一个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。

公开(公告)号：CN103928582A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310366032.9

申请日：2013-08-21

申请人： 璨圆光电股份有限公司

发明人： 敦俊儒 ,  林诣超 ,  江振福 ,  郭政煌

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成掺杂区，使半导体在基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件。

公开(公告)号：CN103311243A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310007113.X

申请日：2013-01-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄敬源 ,  许竣为 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  陈柏智

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

公开(公告)号：CN102790149A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210107454.X

申请日：2012-04-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴欣贤 ,  陈其贤 ,  张钧琳 ,  萧景文 ,  徐光宏

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26593 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： 一种方法包括提供LED元件，该LED元件包括衬底和在该衬底上设置的氮化镓(GaN)层。对该GaN层进行处理。处理包括对该GaN层实施离子注入工艺。该离子注入工艺可以提供该GaN层的粗糙化的表面区域。在实施例中，该离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。在另外的实施例中，该衬底在该离子注入工艺期间处于低于约零摄氏度的温度下。本发明还提供了一种发光二极管及其制造方法。

公开(公告)号：CN102468164A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010532050.6

申请日：2010-10-29

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 尹海洲 ,  朱慧珑 ,  骆志炯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含至少一个位错；位于所述源区和漏区上方的含硅外延半导体层；以及位于所述外延半导体层上方的金属硅化物层。

公开(公告)号：CN101790779A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200880104503.6

申请日：2008-06-20

申请人： 科里公司

发明人： 亚利山大·苏沃洛夫 ,  斯科特·T·夏普德

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452

摘要： 公开了一种用于形成高电子迁移率晶体管的方法。该方法包括下面的步骤：利用当被注入时在III族氮化物层和接点金属之间产生改善的欧姆接触的离子，在限定位置处对所述III族氮化物层进行注入；在如下温度下进行注入：该温度高于室温，并足够热以降低对所述III族氮化物层产生的损伤量，但是低于将发生引起栅极处的泄漏或外延层解离的表面问题的温度。向所述III族氮化物层上进行注入的所述限定位置添加从由钛、铝、镍及其合金构成的组中选择出的欧姆接点。