公开(公告)号：CN114068698A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110890138.3

申请日：2021-08-04

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 陈志濠 ,  敦俊儒 ,  沈依如

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开一种功率半导体元件及其形成方法，其中该功率半导体元件包括：基板；位于基板上的叠层，其依序包括III‑V族半导体缓冲结构、III‑V族半导体沟道结构、和III‑V族半导体阻障结构；位于叠层上的第一电极，并与该叠层之间形成欧姆接触；位于叠层上的第二电极，并与该叠层之间形成萧特基接触；以及位于第二电极下的V族元素供应层，其覆盖III‑V族半导体阻障结构的部分表面。

公开(公告)号：CN103928582B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201310366032.9

申请日：2013-08-21

申请人： 晶元光电股份有限公司

发明人： 敦俊儒 ,  林诣超 ,  江振福 ,  郭政煌

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种化合物半导体元件及其制备方法，包括使用选择性掺杂技术在基板形成掺杂区，使半导体在基板上不同区域的成长速率不同，进而形成具有高低差结构的半导体层，并在之后继续成长化合物半导体元件结构以制作化合物半导体元件。