公开(公告)号：CN118263294A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311318951.9

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述钝化层上方的第一介电层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括第一部分和悬垂部分，所述第一部分具有延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，所述悬垂部分在所述第一介电层的上表面上方延伸。

公开(公告)号：CN116313792A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211492605.8

申请日：2022-11-25

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  菲利普·雷诺 ,  胡马云·卡比尔 ,  布鲁斯·麦克雷·格林 ,  易卜拉欣·哈利勒

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40

摘要： 通过使用多个电介质层来优化场效应晶体管中的场板的放置，使得场板的第一末端通过第一组一个或多个不同电介质材料层与所述晶体管的沟道区分隔开。所述场板的第二末端覆盖在所述沟道区和控制电极上，通过所述第一组电介质层和一个或多个额外电介质层与所述控制电极分隔开。通过单处理步骤确定所述控制电极和所述场板的相对定位，使得所述场板与所述控制电极自对准，以便减少与制造过程变化相关联的晶体管性能变化。

公开(公告)号：CN115985950A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211068430.8

申请日：2022-09-01

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 菲利普·雷诺 ,  贝恩哈德·格罗特 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 一种半导体装置的实施例包括半导体衬底、第一介电层、形成于所述半导体衬底上方的第一载流电极和第二载流电极。所述第一载流电极和所述第二载流电极包括形成于所述第一介电层中形成的第一开口内的第一导电层。控制电极形成于所述半导体衬底上方，处于所述第一载流电极与所述第二载流电极之间。包括所述第一导电层的第一导电元件形成于所述第一介电层上方、邻近所述控制电极并且处于所述控制电极与所述第二载流电极之间。

公开(公告)号：CN110890426B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201910830442.1

申请日：2019-09-02

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 菲利普·雷诺

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 半导体装置，诸如横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括半导体衬底，在所述半导体衬底中安置源极区和漏极区。所述漏极区具有在漏极末端处终止的漏极指形件。栅极结构通过所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体衬底支撑，所述栅极结构横向延伸超过所述漏极末端。所述半导体衬底中的漂移区从所述漏极区横向延伸至少到所述栅极结构。所述漂移区的特征在于所述漏极指形件的第一侧壁和所述栅极结构的第二侧壁之间的第一距离，并且所述栅极结构横向倾斜远离所述漏极指形件的所述漏极末端处的所述漏极区达到大于所述第一距离的第二距离。

公开(公告)号：CN110890426A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910830442.1

申请日：2019-09-02

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 菲利普·雷诺

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 半导体装置，诸如横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括半导体衬底，在所述半导体衬底中安置源极区和漏极区。所述漏极区具有在漏极末端处终止的漏极指形件。栅极结构通过所述源极区和所述漏极区之间的所述半导体衬底支撑，所述栅极结构横向延伸超过所述漏极末端。所述半导体衬底中的漂移区从所述漏极区横向延伸至少到所述栅极结构。所述漂移区的特征在于所述漏极指形件的第一侧壁和所述栅极结构的第二侧壁之间的第一距离，并且所述栅极结构横向倾斜远离所述漏极指形件的所述漏极末端处的所述漏极区达到大于所述第一距离的第二距离。

公开(公告)号：CN104377201B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410394664.0

申请日：2014-08-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 菲利普·雷诺

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了互补氮化镓集成电路及其制作方法。互补GaN集成电路(110，1110)的实施例包括具有第一带隙的GaN层(130，230，730)。具有第二带隙的第二层(140，440，1040)形成于所述GaN层上，从而在所述GaN层和所述第二层之间的接触区域中导致了2DEG(122，222，322，722)。所述第二层具有相对薄的部分和相对厚的部分。第三层(150，550，1050)形成于所述第二层的相对厚的部分上。所述第三层具有不同于所述第二带隙的第三带隙，从而在所述第二层和所述第三层之间的接触区域导致了2DHG(112，512，812，1012)。第一导电类型的晶体管(110，610，1110)包括所述2DHG、所述第二层的所述相对厚的部分和所述第三层，并且第二导电类型的晶体管(120，620，1120)包括所述2DEG和所述第二层的所述相对薄的部分。

公开(公告)号：CN118281063A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311318957.6

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括至少部分地延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区。所述导电场板和所述半导体衬底的所述上表面通过所述下部钝化子层的一部分分离。