公开(公告)号：CN116313791A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211417068.0

申请日：2022-11-14

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 朱从佣 ,  A·斯安赛奥 ,  F·R·克莱顿 ,  L·S·克林贝尔 ,  B·格罗特

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06

摘要： 本公开涉及具有连接源极的场板的晶体管。通过使用多个电介质层来优化场效应晶体管中的场板的放置，使得场板的第一末端通过第一组一个或多个不同电介质材料层与所述晶体管的沟道区分隔开。所述场板的第二末端覆盖在所述沟道区和栅极电极上，通过所述第一组电介质层和一个或多个额外电介质层与所述栅极电极分隔开。

公开(公告)号：CN118281063A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311318957.6

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括至少部分地延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区。所述导电场板和所述半导体衬底的所述上表面通过所述下部钝化子层的一部分分离。

公开(公告)号：CN118263294A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311318951.9

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述钝化层上方的第一介电层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括第一部分和悬垂部分，所述第一部分具有延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，所述悬垂部分在所述第一介电层的上表面上方延伸。