公开(公告)号：CN118263294A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311318951.9

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述钝化层上方的第一介电层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括第一部分和悬垂部分，所述第一部分具有延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，所述悬垂部分在所述第一介电层的上表面上方延伸。

公开(公告)号：CN118099201A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311322377.4

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 胡杰

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

摘要： 本公开涉及具有扩散屏障的异质结构晶体管栅极。一种基于异质结构的高电子迁移率晶体管包括其中形成有二维电子气的沟道区，所述沟道区受到绝缘材料的保护。控制端在所述绝缘材料中的孔内接触所述沟道区。所述控制端包括第一金属层和栅电极，所述第一金属层在所述孔内与所述沟道区形成肖特基接触，所述栅电极覆盖在所述第一金属层和所述沟道区上并邻近于所述孔在所述沟道区上方延伸。

公开(公告)号：CN118281063A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311318957.6

申请日：2023-10-12

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 贝恩哈德·格罗特 ,  胡杰 ,  菲利普·雷诺 ,  朱从佣 ,  布鲁斯·麦克雷·格林

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括至少部分地延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区。所述导电场板和所述半导体衬底的所述上表面通过所述下部钝化子层的一部分分离。

公开(公告)号：CN118800792A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410434203.5

申请日：2024-04-11

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 胡杰

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有上表面和沟道；介电层，其设置在所述上表面上方；以及扩散阻挡层，其设置在所述介电层上方。所述扩散阻挡层被图案化以包括多个区段。栅极电极形成于所述半导体衬底上方并且电耦合到所述沟道。漏极开口与所述栅极电极的第一侧在空间上分离。也电耦合到所述沟道的漏极电极包括形成于所述漏极开口内的第一部分，以及上覆于所述扩散阻挡层的区段的第二部分。所述栅极电极与所述漏极电极之间的导电场板包括场板层和所述扩散阻挡层的另一区段。所述漏极电极和所述场板层可由同一导电层的部分形成。