公开(公告)号：CN101611043A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数。)

公开(公告)号：CN1246932C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02806241.8

申请日：2002-02-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 小久保辉一 ,  妹尾浩司 ,  直井雅也 ,  井上和夫

IPC: H01R11/01 ,  H01B5/16 ,  G01R1/06

CPC classification number: H01R13/2414 ,  H01R43/007

Abstract: 提供一种各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件，通过这种各向异性导电性连接器，即使晶片的面积较大，并且即使以较小的间距排列被检查电路，也可以很容易地在被检查晶片上定位、固定和安装该各向异性导电性连接器，并且，在该各向异性导电性连接器中，对于所有连接用导电部分可以保证实现良好的导电性，并且可以保证在相邻的导电部分之间实现绝缘性。该各向异性导电性连接器包含框板和多个弹性各向异性导电膜，该框板具有与晶片的被检查电极的区域对应而形成的多个各向异性导电膜配置用孔，该弹性各向异性导电膜配置于各个各向异性导电膜配置用孔中并由其周缘部分支撑。每个弹性各向异性导电膜包含功能部分和被支撑部分，该功能部分包含多个导电部分和绝缘部分，该导电部分与被检查电极相对应而配置，它包含高密度的表现出磁性的粒子并沿膜的厚度方向延伸，该绝缘部分使这些导电部分相互绝缘，该被支撑部分整体形成于功能部分的周缘部分上并固定于该框板中的用于配置各向异性导电膜的内周缘上，并且该被支撑部分包含表现为磁性的导电性粒子。

公开(公告)号：CN111758176A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201980014608.0

申请日：2019-02-21

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  JSR株式会社

Inventor： 土井将太郎 ,  草地雄树 ,  山内昇 ,  芜木智裕 ,  堀江英明 ,  中嶋勇辅 ,  土田和也 ,  庄司直史 ,  住谷孝治 ,  浅野重人 ,  古贺康行 ,  安东信雄 ,  小久保辉一

IPC: H01M4/36 ,  H01G11/06 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/587

Abstract: 本公开涉及一种将锂离子掺杂到负极活性物质中的负极活性物质的预掺杂方法。负极活性物质的预掺杂方法包括预掺杂工序和掺杂后改性工序。在预掺杂工序中，将锂离子掺杂到所述负极活性物质中，从而使所述负极活性物质相对于锂金属的电位下降。在掺杂后改性工序中，于所述预掺杂工序之后，使能够和锂离子反应的反应性化合物与掺杂到所述负极活性物质中的锂离子进行反应，从而使所述负极活性物质相对于锂金属的电位上升。在所述掺杂后改性工序的结束时刻，所述负极活性物质相对于锂金属的电位为0.8V以上。

公开(公告)号：CN107851797A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680046453.5

申请日：2016-09-28

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 住谷孝治 ,  浅野重人 ,  古贺康行 ,  木村亮 ,  礼场强 ,  小久保辉一 ,  安东信雄

IPC: H01M4/587 ,  H01G11/06 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明提供一种电极材料的制造方法，具有在碱金属供给源和溶剂的存在下对至少含有活性物质的无定型集合物进行静态加压的状态的加压工序。

公开(公告)号：CN101611043B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数)。

公开(公告)号：CN1362712A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01138190.6

申请日：2001-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 小久保辉一 ,  柳通直树

IPC: H01B1/22 ,  H01B1/02 ,  H01L21/52 ,  H01R11/00 ,  H05K1/00 ,  G01R31/00

CPC classification number: H01L24/31 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H01L23/32 ,  H01L24/28 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01R12/52 ,  H05K1/095 ,  H05K3/321 ,  H05K3/4069 ,  H05K7/1061 ,  Y10T428/12181 ,  Y10T428/2991 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明提供导电金属颗粒和导电复合金属颗粒,通过其可提供具有稳定导电率的导电材料,以及其应用产品。该导电金属颗粒具有5－100μm的数均颗粒直径,0.01×103－0.7×103m2/kg的BET比表面积,最多0.1%重量的硫元素含量,最多0.5%重量的氧元素含量,最多0.1%重量的碳元素含量。导电复合金属颗粒可通过用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面而获得。

公开(公告)号：CN109075340A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026117.9

申请日：2017-04-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 住谷孝治 ,  浅野重人 ,  古贺康行 ,  木村亮 ,  礼场强 ,  小久保辉一 ,  安东信雄 ,  畠添拓实

IPC: H01M4/587 ,  H01G11/06 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01G13/00 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58

Abstract: 一种电极材料的制造方法，在碱金属供给源和溶剂的存在下，将至少含有活性物质的不定形的聚集体在动态加压单元中进行动态加压的同时向送出方向送出，将上述聚集体从上述动态加压单元朝向上述送出方向连续地排出。

公开(公告)号：CN108701553A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012705.7

申请日：2017-02-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 直井雅也 ,  川田幸广 ,  药师寺广基 ,  相田一成 ,  小久保辉一

IPC: H01G11/50 ,  H01G11/06 ,  H01G11/86 ,  H01G13/00 ,  H01M10/0585 ,  H01M10/0587

Abstract: 掺杂系统向具有含有活性物质的层的带状的电极前体中的上述活性物质中掺杂碱金属。掺杂系统具备掺杂槽、传送单元、对电极单元、连接单元和多孔绝缘部件。掺杂槽收容含有碱金属离子的溶液。传送单元将上述电极前体沿着通过上述掺杂槽内的路径进行传送。对电极单元收容于上述掺杂槽。连接单元对上述电极前体和上述对电极单元进行电连接。多孔绝缘部件配置在上述电极前体和上述对电极单元之间，且不与上述电极前体接触。

公开(公告)号：CN102034908A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502435.8

申请日：2010-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野边洋平 ,  加藤仁史 ,  小林薰平 ,  宫本智明 ,  住谷孝治 ,  小久保辉一

IPC: H01L33/00 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序：向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层(4)的工序；从保护层(4)的上方照射激光，形成分离沟槽(6)的工序；以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。

公开(公告)号：CN101528874A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780030018.4

申请日：2007-08-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 秋山将宏 ,  中川恭志 ,  小久保辉一

IPC: C09D183/00 ,  C23C16/06 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有右述通式(1)所示的有机硅烷化合物。(式中，R1～R4相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基，R5表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基、苯基，n表示1～3的整数，m表示1～2的整数。)