公开(公告)号：CN100392008C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN02129797.5

申请日：2002-08-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 志保浩司 ,  加藤仁史

IPC: C08K5/54 ,  C08L83/16 ,  C09D183/16 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/228 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物，所述硅烷组合物含有：用式SinRm所示的聚硅烷化合物(式SinRm中，n为3以上的整数，m为n～(2n+2)的整数，m个R互相独立地为氢原子、烷基、苯基或卤素原子，当m个R全部为氢原子、且m＝2n时，n为7以上的整数)和(B)从环戊硅烷、环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷中选择的至少一种硅烷化合物。

公开(公告)号：CN101611043B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数)。

公开(公告)号：CN102034908A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502435.8

申请日：2010-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野边洋平 ,  加藤仁史 ,  小林薰平 ,  宫本智明 ,  住谷孝治 ,  小久保辉一

IPC: H01L33/00 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序：向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层(4)的工序；从保护层(4)的上方照射激光，形成分离沟槽(6)的工序；以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。

公开(公告)号：CN100423197C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN03801435.1

申请日：2003-08-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  岩泽晴生 ,  加藤仁史

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C24/10 ,  C23C26/02 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN100355653C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480000672.7

申请日：2004-06-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岩泽晴生 ,  王道海 ,  松木安生 ,  加藤仁史

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/021 ,  H01L21/208

CPC classification number: C09D183/16 ,  C01B33/08 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  C08G77/00

Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。

公开(公告)号：CN1697781A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000672.7

申请日：2004-06-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岩泽晴生 ,  王道海 ,  松木安生 ,  加藤仁史

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/021 ,  H01L21/208

CPC classification number: C09D183/16 ,  C01B33/08 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  C08G77/00

Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。

公开(公告)号：CN101611043A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数。)

公开(公告)号：CN1579012A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801435.1

申请日：2003-08-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  岩泽晴生 ,  加藤仁史

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C24/10 ,  C23C26/02 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。