公开(公告)号：CN102034908A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502435.8

申请日：2010-09-29

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 野边洋平 ,  加藤仁史 ,  小林薰平 ,  宫本智明 ,  住谷孝治 ,  小久保辉一

IPC: H01L33/00 ,  C09D183/04

Abstract: 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时，也不会对半导体层造成不良影响，并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物，以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序：向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物，从而形成保护层(4)的工序；从保护层(4)的上方照射激光，形成分离沟槽(6)的工序；以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。

公开(公告)号：CN101611043A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数。)

公开(公告)号：CN101939465A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104520.4

申请日：2009-03-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  郑康巨 ,  齐藤隆一 ,  小久保辉一

IPC: C23C16/42 ,  C08G77/50 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: C23C16/401 ,  C07F7/1804 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化学气相沉积法用材料，其含有下述通式(1)表示的有机硅烷化合物。(式中，R1和R2相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基或苯基；R3和R4相同或不同，表示碳原子数1～4的烷基、乙酰基或苯基；m表示0～2的整数；n表示1～3的整数)。

公开(公告)号：CN101611043B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880004682.6

申请日：2008-02-12

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 中川恭志 ,  野边洋平 ,  加藤仁史 ,  石附健二 ,  小久保辉一

IPC: C07F7/18 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01B3/46 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/50 ,  C09D4/00 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31633 ,  C08G77/00 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的至少1种有机硅烷化合物。(式中，R1～R6相同或不同，表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、乙烯基、苯基、卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，并且R1～R6中的至少一个是卤原子、羟基、乙酰氧基、苯氧基或烷氧基，n表示0～3的整数)。