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公开(公告)号：CN107260125A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710225118.8
申请日：2017-04-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: A61B5/00
CPC classification number: A61B5/7285 , A61B5/0002 , A61B5/002 , A61B5/01 , A61B5/021 , A61B5/1118 , A61B5/742 , A61B2560/0209 , A61B2560/0242 , A61B2560/0252 , A61B2560/0431 , A61B2560/0475 , A61B2562/029 , A61B5/00
Abstract: 本申请涉及传感器系统。为了根据能够影响待测对象的外部指标的变化来适当地设置用于测量待测对象的传感器的测量条件，传感器系统包括：第一传感器和第二传感器；确定单元，当第一传感器的测量结果满足预定条件时，输出检测信号；测量条件存储单元，用于存储第二传感器的测量条件；以及控制单元，用于当接收到检测信号时与根据测量条件的测量分开地执行通过第二传感器的测量，并且基于所执行的测量的结果来更新存储在测量条件存储单元中的第二传感器的测量条件。
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公开(公告)号：CN111033721B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201780094075.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。
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公开(公告)号：CN107799652A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710785299.X
申请日：2017-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/249 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/1253 , H01L45/16
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。具体涉及电阻变化元件，其包括彼此间隔开的第一和第二电极，与第一电极相邻的金属材料层，与金属材料层和第一电极相邻的氧化物层，和连续布置在第二和第一电极之间和在第二电极和氧化物层之间的电阻变化层。电阻变化层由金属氧化物制成。金属材料层由金属或金属化合物制成。氧化物层由形成金属材料层的材料的氧化物制成。第一电极由钌、氧化钌、铱、氧化铱、铂、金或铜制成。形成氧化物层的氧化物的氧化物形成自由能高于形成电阻变化层的氧化物的氧化物形成自由能。
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公开(公告)号：CN111033721A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780094075.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425586A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410421973.2
申请日：2014-08-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L29/1054 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/66522 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，一种常关型的而且实现了高移动性及高击穿电压的晶体管的技术。化合物半导体层ISM形成于衬底SUB上，且p型杂质浓度及n型杂质浓度双方均不满1×1016/cm3，并由Ⅲ族氮化物化合物构成。阱WEL为p型杂质层，且形成于化合物半导体层ISM。源极区域SOU形成于阱WEL内，为n型杂质层。低浓度n型区域LDD形成于化合物半导体层ISM，且与阱WEL相连。漏极区域DRN形成于化合物半导体层ISM，且介隔着低浓度n型区域LDD位于阱WEL的相反侧。漏极区域DRN为n型杂质层。
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公开(公告)号：CN104425482A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410407380.0
申请日：2014-08-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/78 , H01L23/3178 , H01L29/1095 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7842 , H01L29/7849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置。有时由于作用于硅的III族氮化物半导体的应力使III族氮化物半导体和硅翘曲。一种半导体装置包括：衬底、缓冲层和半导体层。沟槽被形成在所述半导体层的第六面上。所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层。所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部。
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公开(公告)号：CN109976426A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811492887.5
申请日：2018-12-07
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置、传感器终端以及半导体装置控制方法。当在操作状态下温度改变时，需要确保在预定操作频率下的操作。半导体装置包括：被施加有衬底偏压的偏压施加部；用于检测温度的温度传感器；以及用于向偏压施加部施加与由温度传感器检测到的温度相对应的衬底偏压的衬底偏压生成器。偏压施加部在由衬底偏压生成器施加衬底偏压时，偏压施加部在操作状态与停止状态之间变换。衬底偏压生成器向偏压施加部施加被配置成在所述温度传感器检测到的温度的条件下、不使用于偏压施加部的操作频率的上限小于预定值的衬底偏压。
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公开(公告)号：CN104952835A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510134983.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/24
CPC classification number: H01L28/65 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53242 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/0629 , H01L27/2463 , H01L28/60 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，其具有较小的特性变化。该半导体器件配备有形成在层间绝缘膜中的插塞，设置在插塞上并耦合至插塞的下电极，设置在下电极上并由金属氧化物制成的中间层，以及设置在中间层上的上电极。中间层具有邻接下电极和上电极的层叠区。层叠区的至少一部分不与插塞重叠。插塞的至少一部分不与层叠区重叠。
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