公开(公告)号：CN111033721B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201780094075.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上嶋和也 ,  蒲原史朗 ,  恩田道雄 ,  长谷卓 ,  西野辰郎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。

公开(公告)号：CN116112019A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211394444.9

申请日：2022-11-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： P·法杰梅加 ,  西野辰郎 ,  清水健央

IPC: H03M1/38 ,  H03M1/10

Abstract: 本公开涉及半导体装置、模数转换器和模数转换方法。一种半导体装置包括逐次逼近模数(AD)转换器，该AD转换器被配置为执行对模拟输入信号进行采样的过程和逐次逼近过程，执行AD转换过程，并且输出数字输出信号。AD转换器包括上部DAC、冗余DAC、下部DAC、比较器、控制电路和校正电路，比较器被配置为比较比较参考电压与上部DAC、冗余DAC和下部DAC的输出电压，控制电路被配置为基于比较器的比较结果控制由上部DAC、冗余DAC和下部DAC进行的逐次逼近，并且生成数字输出信号。校正电路包括误差校正电路和平均电路，误差校正电路被配置为利用冗余位校正高位的误差，平均电路被配置为计算多次供应的多个低位的转换值的平均值。

公开(公告)号：CN111033721A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201780094075.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上嶋和也 ,  蒲原史朗 ,  恩田道雄 ,  长谷卓 ,  西野辰郎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。

公开(公告)号：CN117096160A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311238705.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上嶋和也 ,  蒲原史朗 ,  恩田道雄 ,  长谷卓 ,  西野辰郎

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/088 ,  H03F3/45

Abstract: 在一实施方式的半导体器件中，将构成模拟电路的场效应晶体管形成于其上的SOI衬底的半导体层的厚度设置为2nm以上且24nm以下。